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* * * 跳转到第一页 半导体三极管 半导体三极管是最重要的半导体器件，是电子电路中的核心器件，被广泛应用到了各种电子线路中，是电子线路的灵魂。 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N N 集电极C 基极B 发射极E 一、晶体三极管的基本结构 P E C B 符号 分类和符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P N 2. PNP型三极管 根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电，即为单极型。 NPN型三极管图符号 大功率低频三极管 小功率高频三极管 中功率低频三极管 e c b PNP型三极管图符号 e c b 注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。 三极管的结构特点 1.基区做得很薄，而且掺入杂质很少，其百度只有几有几微米。 2.发射区的杂质浓度远高于集电区杂质浓度，因此多数载流电的数量最大。 3.集电区的几何尺寸最大，掺入杂质很少 双极型三极管的电流分配关系及放大作用 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件 (1)发射区掺杂浓度很高，以便有 足够的载流子供“发射”。 (2)为减少载流子在基区的复合机 会，基区做得很薄，一般为几个 微米，且掺杂浓度极低。 (3)集电区体积较大，且为了顺利 收集边缘载流子，掺杂浓度界于 发射极和基极之间。 可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 二、三极管的电流放大作用 1.三极管电流分配及放大作用 （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 以NPN型三极管为例 应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB 二、三极管的电流放大作用 1.三极管电流分配及放大作用 （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 以NPN型三极管为例 应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 1 三极管的电流放大作用 IB/mA 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 Ic/ mA 0 1.04 2.03 3.07 4.03 5.21 IE/ mA 0 1.05 2.05 3.10 4.17 5.26 IE = IC＋IB 结论 三极管的3种工作状态 1.截止状态 当RP 阻值很大时，加在三极管发射结的电压小于PN节导通的电压，基极电流Ib = 0, 此时Ic = 0，集电极和发射极相当于一只断开的开关。 三极管的3种工作状态 2.放大状态 当RP R1 Rc阻值合适，发射结加上正向电压，集电结加上反向电压时，三极管具有电流放大作用，集电极电流Ic =β Ib， β称为三极管的电流放大系数，一般其值在20~150之间。 三极管的3种工作状态 3.饱和导通状态 当RP R1 阻值很小时，发射结和集电结都处于正向偏置状态时。三极管的Ic 基本不随Ib的变化而变化，或Ic 已不受 Ib 的控制，三极管处于饱和状态。三极管饱和时的Uce值称为饱和压降，记作Uces ，小功率管小于0.6V，锗管小于0.3V。此时集电极和发射极之间相当于一只接通的开关。 IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 饱和区 60 μA 80 μA 1.放大区（工作区） IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 特点：满足IC=? IB；IC受IB的控制；IC和UCE无关，呈现恒流特性。称为线性区（放大区）。 条件：发射结正偏，集电结反偏。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 特点：此区域中UCE? UBE ,集电结正偏，IC不再受IB的控制;? IBIC , IC饱和;UCES? 0.3V称为饱和压降。 2.饱和区 条件:发射结 和集电结均 为正偏. IC(mA