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近代物理小论文

近代物理 半导体激光器的原理及应用 院 (部): 专 业: 班 级: 姓 名: 学 号: 1.半导体激光器的原理及特性 1.1基本原理 半导体材料多是晶体结构。当大量原子规则而紧密地结合成晶体时,晶体中那些价电子都处在晶体能带上。价电子所处的能带称价带(对应较低能量)。与价带最近的高能带称导带,能带之间的空域称为禁带。当加外电场时,价带中电子跃迁到导带中去,在导带中可以自由运动而起导电作用。同时,价带中失掉一个电子,则相当于出现一个带正电的空穴,这种空穴在外电场的作用下,也能起导电作用。因此,价带中空穴和导带中的电子都有导电作用,统称为载流子。掺杂半导体与p-n结。没有杂质的纯净半导体,称为本征半导体。如果在本征半导体中掺入杂质原子,则在导带之下和价带之上形成了杂质能级,分别称为施主能级和受主能级有施主能级的半导体称为n型半导体;有受主能级的半导体称这p型半导体。在常温下,热能使n型半导体的大部分施主原子被离化,其中电子被激发到导带上,成为自由电子。而p型半导体的大部分受主原子则俘获了价带中的电子,在价带中形成空穴。因此,n型半导体主要由导带中的电子导电;p型半导体主要由价带中的空穴导电。半导体激光器中所用半导体材料,掺杂浓度较大,n型杂质原子数一般为25×1018cm-1;p型为13×1019cm-1。在一块半导体材料中,从p型区到n型区突然变化的区域称为p-n结。其交界面处将形成一空间电荷区。n型半导体带中电子要向p区扩散,而p型半导体价带中的空穴要向n区扩散。这样一来,结构附近的n型区由是施主而带正电,结区附近的p型区由于是受主而带负电。在交界面处形成一个由n区指向p区的电场,称为自建电场。此电场会阻止电子和空穴的继续扩散 p-n结电注入激发机理。若在形成了p-n结的半导体材料上加上正向偏压,p区接正极,n区接负极。显然,正向电压的电场与p-n结的自建电场方向相反,它削弱了自建电场对晶体中电子扩散运动的阻碍作用,使n区中的自由电子在正向电压的作用下,又源源不断地通过p-n结向p区扩散,在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时,它们将在注入区产生复合,当导带中的电子跃迁到价带时,多余的能量就以光的形式发射出来。这就是半导体场致发光的机理,这种自发复合的发光称为自发辐射。要使p-n结产生激光,必须在结构内形成粒子反转分布状态,需使用重掺杂的半导体材料,要求注入p-n结的电流足够大(如30000A/cm2)。这样在p-n结的局部区域内,就能形成导带中的电子多于价带中空穴数的反转分布状态,从而产生受激复合辐射而发出激光。半导体激光器结构。如为结构图,其外形及大小与小功率半导体三极管差不多,仅在外壳上多一个激光输出窗口。夹着结区的p区与n区做成层状,结区厚为几十微米,面积约小于1mm2。半导体激光器的光学谐振腔是利用与p-n结平面相垂直的自然解理面(110面)构成,它有35的反射率,已足以引起激光振荡。若需增加反射率可在晶面上镀一层二氧化硅,再镀一层金属银膜,可获得95%以上的反射率。一旦半导体激光器上加上正向偏压时,在结区就发生粒子数反转而进行复合 1.2? 激光具有极好的时间相干性和空间相干性,它与无线电波相似,易于调制,且光波的频率极高,能传递信息的容量很大。加之激光束发散角小,光能高度集中,既能传输较远距离,又易于必威体育官网网址。因而为光信息传递提供了一种理想的光源。? 把欲传输的信息加载于激光副射的过程称为激光调制,把完成这一过程的装置称为激光调制器,由已调制的激光辐射中还原出所加载信息的过程则称为解调。由于激光起到“携带”信息的作用,所以称其为载波。通常将欲传递的信息称为调制信号。被调制的激光称为已调波或调制光。? 激光调制与无线电波调制相类似,激光振荡的瞬时电场也可表示为:?? e(t)=Acos(wt+ψ)? 式中A为激光振荡的复振幅,w为调制的角频率,ψ为调制的相位角。模拟激光调制可分为调幅、调频和调相等类型。按载波的振荡输出方式不同又可分为连续调制、脉冲调制和脉冲编码调制等。脉冲调制主要分为脉冲调幅(PAM)、脉冲强度调制(PIM)、脉冲调频(PFM)、脉冲调位(PPM)及脉冲调宽(PWM)等类型。脉冲编码调制(PCM)是先将连续的模拟信号通过抽样、量化和编码,转换成一组二进制脉冲代码,用幅度和宽度相等的矩形脉冲的有、无来表示,再将这一系列反映数字信号规律的电脉冲加在一个调制器上以控制激光的输出。这种调制形式也称为数字强度调制。 1.3半导体激光器的调制方式? 半导体激光器的激光调制分为内调制和外调制两类。间接调制是指加载调制信号在激光形成以后进行的,即调制器置于激光谐振腔外,在调制器上加调制信号电压,使调制器的某些物理特性发生相的变化,

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