《半导体器_件物理》复习题2012.docVIP

《半导体器件物理》复习思考题 （1）提高半导体的掺杂浓度，p-n结的势垒高度将会＿增大＿＿，p-n结的势垒厚度将会＿＿增大＿；如果重掺杂，使半导体达到高度简并时，p-n结的势垒高度将会＿减小＿＿＿。 （增大；减小；不变） （2）当环境温度升高时，p-n结的势垒高度将会＿减小＿＿＿，p-n结的势垒厚度将会＿减小＿＿，p-n结的正向压降将会＿＿减小＿＿＿。 （增大；减小；不变） （3）半导体耗尽层就是其中不存在有＿任何载流子＿＿＿＿的区域。 （任何载流子；任何电荷；任何载流子和任何电荷） （4）线性缓变p-n结的雪崩击穿电压要＿高于＿＿突变p-n结的击穿电压。 （高于；低于；等于） （5）同时表征少数载流子的寿命长短和扩散快慢的一个重要参量是＿扩散长度＿＿＿。 （迁移率；扩散系数；扩散长度） （6）决定通过p-n结电流大小的主要因素是＿少数载流子扩散的浓度梯度＿。 （少数载流子扩散的浓度梯度；多数载流子的浓度；载流子的漂移速度；势垒区中的电场）；限制p-n结电流大小的主要区域是＿势垒区两边的中性扩散区＿。 （存在有电场的势垒区；势垒区两边的中性扩散区；势垒区和扩散区以外的中性区） （7）通过p+-n结的电子电流＿＿小于＿＿＿空穴电流。 （大于；小于；等于） （8）对于Si的p-n结，其反向电流主要是＿势垒区中复合中心的产生电流＿。 （在扩散区的少数载流子扩散电流；势垒区中复合中心的产生电流；势垒区中的漂移电流） 温度升高时，Si p-n结的反向电流将＿指数增加＿。 （线性增加；指数增加；快速下降；不变） （9）p-n结在正向电压下呈现出的电容，有＿＿势垒电容和扩散电容＿＿＿＿。 （势垒电容；扩散电容；势垒电容和扩散电容） （10）由金属-半导体接触构成的Schottky二极管，是＿多数载流子器件＿＿＿。 （少数载流子器件；多数载流子器件） 与p-n结二极管相比，Schottky二极管具有＿＿＿＿较低＿＿的正向电压。 （较高；较低；相等） （11）对于放大状态的n+-p-n晶体管，通过基极的电流分量包括有＿在基区复合的电子电流，在发射区注入空穴的扩散电流，在基区抽取的电子的扩散电流，发射结势垒区中复合中心的电流＿。 （12）BJT的ICEO要比ICBO约大＿＿＿β0＿＿＿＿倍。 （α0；β0） （13）BJT的发射极电流集边效应是由于＿基区扩展电阻＿＿而产生的。 （发射极串联电阻；基区扩展电阻；基区展宽效应；基区电导调制效应） （14）Early效应是由集电结电压变化＿＿所引起的，其基本涵义是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；Kirk效应是由＿大的发射极电流＿所引起的，其基本的涵义是 。（发射结电压变化；集电结电压变化；高的集电结电压；大的发射极电流；大的基极电流） （15）BJT的集电结与单独的p-n结相比（在可类比的情况下），它通过的电流要＿大＿，其击穿电压要＿低＿＿。 （大；小；高；低） （16）影响双极型晶体管耗散功率的主要因素是＿＿＿＿热阻＿＿＿。（基极电阻；击穿电压；集电极最大允许工作电流；热阻） （17）BJT的开关时间一般主要决定于＿基区和集电区中过量存储电荷消失的时间＿＿。 （发射结的充放电时间；基区和集电区中过量存储电荷消失的时间；集电结的充放电时间） （18）与双极型晶体管不同，场效应晶体管是＿电压控制＿＿器件（电压控制；电流控制），是＿＿多数＿＿载流子器件（多数；少数）。 （19）MOSFET的阈值电压基本上包含有＿栅氧化层上的电压，使半导体表面产生强反型层所需要的电压，平带电压[包含金属-半导体的功函数差和SiO2/Si系统内部和界面的电荷]＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿几个部分的电压。 （20）MOSFET的阈值电压随着温度的升高将＿下降＿（下降；增大；不变）。 （21）对于长沟道场效应晶体管，其电流饱和的机理是＿沟道夹断＿＿；而对于短沟道沟道场效应晶体管，其电流饱和的机理是＿速度饱和＿＿＿。 （沟道夹断；速度饱和；迁移率下降） （22）场效应晶体管的跨导gm是反映栅极电压变化引起源-漏电流变化的大小＿（栅极电压变化引起源-漏电流变化的大小；源-漏电压变化引起源-漏电流变化的大小），它表征着场效应晶体管的＿放大性能＿＿（输出电阻；输入电阻；放大性能）。 （23）对于场效应晶体管，其饱和区的跨导要＿大于＿＿线性区的跨导（大于；小于；等于），并且饱和区的跨导等于＿线性区的漏电导＿（饱和区的漏电导；线性区的漏电导；衬底的跨导）。 （24）场效应晶体管的特征频率(截止频率) fT 是根据＿输出交流电流等于输入交流电流＿来确定的（输出交流电流等于输入交流电流；输出阻抗等于输入阻抗；输出电压等于输入电压）；短沟道MOSFET的fT，往往决定于栅极回路时间常数，它与沟道长度之间具有＿平方反比