电力电子技术期末总结.docVIP

电力电子技术期末总结 #绪论： 1. 电子技术的两大分支是什么？ 信息电子技术与电力电子技术 *2. 简单解释电力电子技术。 使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，即应用于电力领域的电子技术。 3. 要学习的4种电力电子器件是什么？ 器件：电力二极管、晶闸管、IGBT、POWER MOSFET 四种。 *4. 电力变换器有哪几种？ 交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流 *5. 电力电子技术的应用？ 一般工业： 电化学工业；交通运输：电动汽车、航海；电力系统：柔性交流输电、谐波治理、智能电网；电子装置电源；家用电器：变频空调；其他：航天飞行器、发电装置。 #第一章： 1. *电力电子器件的分类： 半控型：晶闸管；全控型：电力MOSFET、IGBT；不可控型：电力二极管； 电流驱动型：晶闸管；电压驱动型：电力MOSFET、IGBT； 2. *应用电力电子器件的系统组成： 由控制电路和驱动电路和电力电子器件为核心的主电路组成。 3. 电导控制效应： 电导控制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1v左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。 5. 电力二极管的主要参数：正向平均电流IF(AV)、正向压降UF、反向重复峰值电压URRM、最高工作结温TJM、反向恢复时间trr、浪涌电流IFSM 6. 电力二极管的类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管 7. 晶闸管的静态特性和动态特性： A P 1 A KK G A AG a) b) J1J2J3 AK N12 N2K A G P1N1P2N2Kb) G G P2 c) a) u 8. 晶闸管的主要参数：电压定额、电流定额、动态参数 9.电力MOSFET的基本特征： G DD a) G N沟道 P沟道b) 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜 dID率定义为跨导Gfs Gfs? dU GS ID/A ID/A TUGS/V a) GSTUDS/Vb) 图1-20 +UuuGuGuT ib) 图1-21 a） 10. IGBT基本特征： 发射极栅极 a) b) IC G c) IGE(th) a) GE (1) 开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当 (2) 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR 大，且具有耐脉冲电流冲击能力 (3) 通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域 (4) 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似 (5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 优点：开关速度高，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低， 安全工作区：正偏安全工作区（FBSOA）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定 反向偏置安全工作区（RBSOA）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定 11、电力电子器件的驱动基本任务、作用和隔离方法：1.将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号；2.使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现；3. 一般采用光隔离或磁隔离。 12、晶闸管的触发电路要求：触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流的概念）。触发脉冲应有足够的幅度。不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 VDR22 12 3 4 13、过电压的产生原因：外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因；内因过电压主要来自装置内部器件的开关过程。 14、过电流保护的方法和第一保护措施：电子电路作为第一保护措施。 15、*缓冲电路（吸收电路）及其作用：抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流、di/dt，减少器件的开关损耗 ui C a) b) 图1-38 #第二章 1、整流电路中变压器T的作用：起变换电压和隔离的作用。 2、触发延迟角与