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* 平面工艺基本光刻步骤 光刻胶 掩膜版 * 应用平面工艺可以实现多个器件的集成 * Actual cross-section of a modern microprocessor chip from IBM W Cu * 本节课主要内容 CMOS工艺： 光刻、氧化、扩散、刻蚀等 硅技术的历史沿革和未来发展趋势： 晶体管的诞生 集成电路的发明 平面工艺的发明 摩尔定律（Moore’s law） 等比例缩小原则 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * INFO130024.01 集成电路工艺原理 第一讲 前言 INFO130024.01 集成电路工艺原理 第一讲 前言 * 大纲（1） 教科书：《半导体集成电路制造技术》 张亚非等编著 参考书： C.Y. Chang, S.M. Sze, “ULSI Technology” 王阳元 等,“集成电路工艺原理” M. Quirk, J. Serda, “半导体制造技术” 王蔚，田丽，任明远，“集成电路制造技术－原理与工艺” J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin, “硅超大规模集成电路工艺技术-理论、实践与模型” * 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 * 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 * W. Shockley J. Bardeen W. Brattain 1st point contact transistor in 1947 -- by Bell Lab 1956年诺贝尔物理奖 点接触晶体管：基片是N型锗，发射极和集电极是两根金属丝。这两根金属丝尖端很细，靠得很近地压在基片上。金属丝间的距离：~50μm * 不足之处: 可靠性低、噪声大、放大率低等缺点 * 1948年 W. Shockley 提出结型晶体管概念 1950年 第一只NPN结型晶体管 * Ti 公司的Kilby 12个器件，Ge 晶体 * (Fairchild Semi.) Si IC * J. Kilby－TI 2000诺贝尔物理奖 R. Noyce－Fairchild 半导体Ge，Au线 半导体Si，Al线 * 简短回顾：一项基于科学的伟大发明 Bardeen, Brattain, Shockley, First Ge-based bipolar transistor invented 1947, Bell Labs. Nobel prize Kilby (TI) Noyce (Fairchild), Invention of integrated circuits 1959, Nobel prize Atalla, First Si-based MOSFET invented 1960, Bell Labs. Planar technology, Jean Hoerni, 1960, Fairchild First CMOS circuit invented 1963, Fairchild “Moore’s law” coined 1965, Fairchild Dennard, scaling rule presented 1974, IBM First Si technology roadmap published 1994, USA * SSI?(小型集成电路)，晶体管数?10~100，门数10???MSI?(中型集成电路)，晶体管数?100~1,000，10门数100 ??LSI?(大规模集成电路)，晶体管数?1,000~100,000，门数100??VLSI?(超大规模集成电路)，晶体管数?100,000~?1,000,000