光敏二极管芯片制作流程报告.ppt

CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 CI★3N2B AUK-D FAB部工程技术 OPTO产品指的是车间生产的光敏二极管和光敏三极管，从命名上可以看出这种产品对光是非常敏感的，产品结构及制造工艺与普通的晶体管也有一定的区别，故电特性也是有其独特的地方。 光敏二极管： 英文为PHOTO DIODE，简称为PDI，它是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到 几十微安,称为光电流.光的强度越大,反向电流也越大.光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。 光敏三极管： 英文为PHOTO TRANSISTOR，简称为PTR，它和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 PROCESS ? PDP01 (PBF) 　 　 　 STEP AUK-D CONDITION ??/RECIPE SPEC. 1ST OXIDATION (R) 1050℃ 3 (O2) + 70 (STEM) + 1 (O2) 18TUBE/#109 TOX = 5800~6800? P+ PEP TIME:480 (BOE 7:1) 　 PLA 　 PBF COATING 3M-31CP ?? COATING　 PBF COATER/#09 T = 3800~4200? P+ DIFFUSION (R) 1000℃ 78 (N2/LO2=3/0.15) 　 23 TUBE/#720 RS = 15~21?/□ LTO 770℃ 15 (N2/WO2=0.5/3) 　 24 TUBE/#123 　 P+ DRIVE 1020℃ 　 　 22 TUBE/#753 TOX =3400~4400? 5 (N2/O2) + 35 (N2/WO2/HCL) + 27 (N2/O2) 　 RS = 34~50?/□ N+ PEP WET Etch TIME: 660 (BOE 7:1) 　 PLA 　 N+ DIFFUSION 950℃ 15 (N2/O2) + 1335 (POCl3) + 5 N2/O2) A-1/14 TUBE/#216 RS = 8~23?/□ N+ DRIVE 900℃ 15 (N2/O2) + 70 (ST) + 5 N2/O2) 13TUBE/#348 TOX = 4500~5500? 　 　 　 　 RS = 10~25?/□ SIN PEP TIME:480 (BOE 7:1) 　 PLA 　 PECVD 　 　 OXFORD/#06 TSIN = 1300~1500? CNT PEP WET Etch TIME: 480 (BOE 7:1) PLA 　 METAL PURE AL 　 　 SPUTTER/#1 Al=20000? METAL PEP AL WET ETCH 　 PLA 　 SINTER 450℃, 25min , N2 　 16 TUBE/#643 　 BACK METAL BHF:CH3C00H=2:1 10? DIP 　 　 T = 1500±150? Temp.=250℃, ???=1.3×10-4Pa 　 VES-2550/#01 TCr=500±50? TAu=1000±100? 　 　 PROCESS ? PDP05 STEP AUK-D CONDITION 　 ??/RECIPE 　 SPEC. 1ST OXIDATION (R) 1050℃ 5 (O2) + 140 (STEM) + 30 (O2) * Recipe ?? 18 TUBE / #105 TOX = 7200~8800? P+ PEP WET Etch TIME: 720 (BOE 7:1)　 MPA 　 PBF COATING 3M-31CP ?? COATING 　 PBF COATER/#09 T = 3800~4200? P+ DIFFUSION (R) 1000℃ 78 (N2/LO2=3/0.15) 23 TUBE/#720 RS = 15~21?/□ LTO 770℃ 15 (N2/WO2=0.5/3) 24 TU