电力电子器件复习题.doc

电力电子器件复习题 导读：就爱阅读网友为您分享以下“电力电子器件复习题”的资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92的支持! 1、电力电子技术是依靠电力电子器件实现电能的高效率的变换和控制。 2、按照载流子导电类型分，电力电子器件可分为双极型、单极性和混合型器件。 3、晶闸管是最古老的功率器件，也是目前容量最大的功率器件。 4、所谓半导体是指其导电性介于导体和非导体之间的物质。 5、半导体器件的特征是由带电粒子在半导体中如何运动来决定的。 6、载流子在半导体中的移动形成了电流。 7、半导体器件的基础是PN结，当在结的两端施加正向电压时，就有电流流过PN结。 8、当PN结的反向电压增大到一定程度后，其反向电流就会突然增大，这种现象叫PN结的反向击穿。反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种。 9、场效应晶体管是一种多数载流子导电的半导体器件。 10、目前耐压最高、电流容量最大的全控型电力电子器件之一是GTO。 11、晶闸管是一种只能控制其导通，而不能控制其关断的半控型器件。 12、IGBT的选择主要有三个方面需要考虑：额定电压、额定电流和开关速度。 13、IGBT常用的保护电路由两种：过电压保护和过电流保护。 14、功率MOSFET具有工作效率高、驱动功率小、无二次击穿等优点。 15、根据反向恢复时间，功率二极管可以分为普通整流功率二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管和肖基特二极管等。 1、对MOSFET动态特性产生影响的主要因素有哪些？P46 2、什么叫雪崩击穿? P14 3、什么是齐纳击穿？P14 4、GTO并联和串联各能解决什么问题？P197 5、GTO的失效现象？P195