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2017-01-11 发布于贵州
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bt137 BT137S-600G,118;BT137S-600,118;BT137S-600F,118;BT137S-800F,118;中文规格书,Datasheet资料 Philips SemiconductorsProduct specification Triacs GENERAL DESCRIPTION Passivatedtriacsinaplasticenvelope,suitableforsurfacemounting,intendedforuseinapplicationsrequiringhighbidirectionaltransientandblockingvoltagecapabilityandhighthermalcyclingperformance.Typicalapplicationsincludemotorcontrol,industrialanddomesticlighting,heatingandstaticswitching. BT137S series QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER BT137S-BT137S-BT137S-Repetitive peak off-statevoltages RMS on-state current Non-repetitive peak on-statecurrent MAX.600600F600G600865 MAX.800800F800G800865 UNIT VDRMIT(RMS)ITSM VAA PINNING - SOT428 PIN CONFIGURATION SYMBOL LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).SYMBOLVDRMIT(RMS)ITSM PARAMETER Repetitive peak off-statevoltages RMS on-state currentNon-repetitive peakon-state currentI2t for fusing Repetitive rate of rise ofon-state current aftertriggering full sine wave; Tmb ≤ 102 ?C full sine wave; Tj = 25 ?C prior tosurget = 20 mst = 16.7 mst = 10 ms ITM = 12 A; IG = 0.2 A;dIG/dt = 0.2 A/μs T2+ G+T2+ G-T2- G-T2- G+CONDITIONS MIN.--------------40--6006001 8657121505050102550.5150125MAX. -800800 UNITVAAAA2sA/μsA/μsA/μsA/μsAVWW?C?C I2tdIT/dt IGMVGMPGMPG(AV)TstgTj Peak gate currentPeak gate voltagePeak gate powerAverage gate powerStorage temperatureOperating junctiontemperature over any 20 ms period 1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac mayswitch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/祍.June 2001 / 1Rev 1.400 Philips SemiconductorsProduct specification Triacs THERMAL RESISTANCES SYMBOLRth j-mbRth j-a PARAMETER CONDITIONS MIN.--- BT137S series TYP.--75 MAX.2.02.4- UNITK/WK/WK/W Thermal resistancefull cyclejunction to mounting basehalf cycleThermal resistancepcb (FR4) mounted; footprint as in Fig.14junction to ambient STATIC CHARACTERISTICS