集成电路设实习报告-孙.doc

集成电路版图设计vi的基本概念 基本上vi可以分为三种状态，分别是 命令行模式command mode）控制屏幕光标的移动，字符、字或行的删除，移动复制某区段及进入Insert mode下，或者到 last line mode。 插入模式（Insert mode）只有在Insert mode下，才可以做文字输入，按[ESC]键可回到命令行模式。 底行模式（last line mode）将文件保存或退出vi，也可以设置编辑环境，如寻找字符串、列出行号……等。 不过一般我们在使用时把vi简化成两个模式，就是将底行模式（last line mode）也算入命令行模式command mode）。 vi的基本操作 a) 进入vi在系统提示符号输入vi及文件名称后，就进入vi全屏幕编辑画面： b) 切换至插入模式编辑文件在[命令行模式]下按一下字母i进入[插入模式] ) 退出vi及保存文件 : w filename （输入 [w filename]将文章以指定的文件名filename保存） : wq (输入[wq]，存盘并退出vi) : q! (输入q!， 不存盘强制退出vi) :x (执行保存并退出vi编辑器) ）. 删除文字 [x]：每按一次，删除光标所在位置的“后面”一个字符。 [#x]：例如，[6x]表示删除光标所在位置的“后面”6个字符。 [X]：大写的X，每按一次，删除光标所在位置的“前面”一个字符。 [#X]：例如，[20X]表示删除光标所在位置的“前面”20个字符。 [dd]：删除光标所在行。 [#dd]：从光标所在行开始删除#行 所需文件： 用途： cds.lib Library definition 0.6um.tf Technology file for design rule display.drf Layer display drc Design rule check divaDRC.rul on-line DRC check(DIVA) 0.6umCMOS工艺设计规则： N阱(well) N阱的最小宽度3.0u 阱与阱之间的最小间距4.8u N+Active到Nwell的最小间距4.0u N+Active包含在Nwell的最小宽度0.4u P+Active到Nwell的最小间距0.4u P+Active包含在Nwell的最小宽度1.8u 有源区（Active） 有源区的最小宽度0.6u MOS管沟道的最小宽度0.75u 扩散与扩散之间的间距 A、N+Active与N+Active的最小间距1.2u B、P+Active与P+Active的最小间距1.2u C、Nwell外，N+Active与P+Active的最小间距1.2u D、Nwell内，N+Active与P+Active的最小间距1.2u 多晶硅（poly） 多晶硅的最小宽度0.6u 多晶硅间的最小宽度0.75u 正常阈值电压N/PMOS管沟道长度0.6u 多晶硅栅伸出Active区的最小延伸长度0.6u 接触孔（contact） 接触孔的最小尺寸0.6u*0.6u 接触孔间的最小间距0.7u Active包最小尺寸接触孔的最小间距0.4u Poly包最小尺寸接触孔的最小间距0.4u 金属1（metal1）??? 金属1的最小宽度0.9u 金属1间的最小间距0.8u 金属1覆盖最小尺寸接触孔的最小间距0.3u 金属2（metal2） 金属2的最小宽度0.9u 金属2的最小间距0.8u 金属2覆盖通孔的最小间距0.4u 通孔（via） 通孔的最小尺寸0.7u*0.7u 通孔间的最小间距0.8u 通孔与接触孔间的最小间距0.5u 金属1覆盖通孔的最小间距0.4u 实验遇到的问题及解决方案： 反相器仿真结果提示没有找到相关的器件模型。//检查是否加载仿真文件···.csc； 反相器的瞬态分析结果没有实现元件的功能。//检查全局电源的及仿真电路信号源的参数设置； 与非门的仿真结果提示最高阶参数应为一个值或者有意义的参数，且提示参数“n”错误。//检查与非门原理电路中各个MOS管的参数是否正确； 五、心得体会： 通过本次实习使所学知识能够从理论高度上升到实践高度，更好的实现理论和实践的结合，来亲身感受layout版图设计的过程，同时更好的学习和了layout版图设计的工艺与方法。? 通过这次实训使我们了解了Cadence软件的工作环境，并且能过进行一些基本的操作。能够新建原理图文件并绘制原理图，能够对电路的电学参数进行模拟，以确定电路图能够实现其电学功能，并且通过此次实训使我们了解了与非门/反相器的基本数字电路。 本次实践我的收获还是比较大的，初始设计出