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绪论1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。2.微电子学特点。（1）研究固体（半导体）材料上构成微小型化电路、子系统及系统的电子学分支。（2）是信息领域的重要基础学科。（3）是一门综合性很强的边缘学科。（4）是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。（5）渗透性极强。3.集成电路概念集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。第二章 半导体物理和器件物理基础1.什么是半导体？特点？（1）电导率在104~10-10（Ω?cm）-1之间的固体。特点：（1）电导率随温度上升而指数上升；（2）杂质的种类和数量决定其电导率；（3）可以实现非均匀掺杂；（4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率；2.空间电荷区是由施主和受主离子构成的。3.能带、导带、价带、禁带半导体晶体中的电子的能量既不像自由电子哪样连续，也不象孤立原子哪样是一个个分立的能级，而是形成能带，每一带内包含了大量的，能量很近的能级。能带之间的间隙叫禁带，一个能带到另一个能带之间的能量差称为禁带宽度。价带：被电子填充的能量最高的能带；导带：被电子填充的能量最低的能带；禁带：导带底与价带顶之间能带；带隙：导带底与价带顶之间的能量差4.空间电荷区为什么称为耗尽区？在负电荷区的空穴浓度和电子浓度都远小于电离受主浓度，正电荷区的空穴浓度和电子浓度都远小于电离施主浓度，电子和空穴好像被“耗尽”了。5.pn结处于反向偏置耗尽区的宽度增加。原因：pn结加反向偏压时，外加电场方向与自建场方向相同，空间电荷区电场增强，打破了载流子漂移和扩散的动态平衡，载流子的漂移趋势大于扩散趋势。6.正向注入：pn结加正向偏压时，外加电场方向与自建场方向相反，空间电荷区电场减弱，打破了载流子漂移和扩散的动态平衡，载流子的扩散大于漂移运动。反向抽取：pn结加反向偏压时，外加电场方向与自建场方向相同，空间电荷区电场增强，打破了载流子漂移和扩散的动态平衡，载流子的漂移趋势大于扩散趋势。7.npn结构特点及载流子运输过程。结构特点：由两个相距很近的PN结组成，第一个n区为发射区（e），p区为基区（b），第二个n区为收集区（c）。由发射区、基区构成的pn结为发射结，由收集区、基区构成的pn结为收集结。运输过程：P44、458.Mos晶体管的结构及如何区分s、d极。基本结构：属于四端器件，有GSDB四个电极。Nmos，其衬底为p型，源和漏为n掺杂，载流子为电子，pmos其衬底为n型，源和漏为p掺杂，载流子为空穴。Nmos通常在漏源之间加偏压后，电位低的一端称为源，电位高的一端称为漏，Pmos相反。9.解释当VgVt,mos管的电压电流特性。P5910.载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。答：载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动。载流子的扩散运动：载流子在化学势作用下运动。11. 迁移率：单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力。12.比较金属与半导体特点半导体中存在着禁带，金属中不存在禁带。13.从微观解释晶格振动、散射，半导体的u随温度升高而下降的原因？半导体中的原子规则排列成晶格，他们并不是静止不动的，他们在不停的进行着热运动，晶体中原子热运动是在一点附近往复振动，这种振动并不破坏晶格整体的规则排列，称为晶格振动。由晶格振动引起的载流子散射为晶格散射。14.从微观电离杂质散射对半导体载流子的影响半导体中由电离杂质形成的正负电中心对载流子有吸引或排斥作用，当载流子经过它们附近时，就会发生“散射”而改变运动方向。15.共有化运动当原子组合成晶体后，电子的量子态穿行于整个晶体的运动。16.pn结单向导电性、击穿、正反向特性、雪崩击穿、隧道击穿的基理载流子漂移(电流)和扩散(电流)过程保持平衡(相等)，形成自建场和自建势，在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。击穿：PN结反偏时，电流很小，但当电压超过临界电压时，电流会突然增大。正向特性：正向偏置时，扩散大于漂移， 称为PN结的正向注入效应。反向特性：反向偏置时，漂移大于扩散, PN结的反向抽取作用。雪崩击穿:PN结反偏电压增大时，空间电荷区电场增强，通过空间电荷区的电子和空穴在电场作用下获得足够大的能量，当与晶格原子碰撞时可以使满带的电子激