LED晶片..docxVIP

LED 是取自 Light Emitting Diode 三个字的缩写，中文译为“发光二极管”，顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件具有二极管的特性。目前不同的发光二极管可以发出从红外到蓝间不同波长的光线，目前发出紫色乃至紫外光的发光二极管也已经诞生。除此之外还有在蓝光 LED 上涂上荧光粉，将蓝光转化成白光的白光 LED。?LED(LightEmittingDiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架 上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成, 一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电 子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用 于这个晶片的时候,电子 就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的 形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的 材料决定的。?制造LED的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，借此可以控制LED所发出光的波长，也就是光谱或颜色。历史上第一个LED所使用的材料是砷(As)化镓(Ga) ,其正向PN结压降(VF，可以理解为点亮或工作电压)为1.424V，发出的光线为红外光谱。另一种常用的LED材料为磷(P)化镓(Ga)，其正向PN结压降为2.261V，发出的光线为绿光。? 基于这两种材料，早期 LED工业运用GaAs1-xPx材枓结构，理论上可以生产从红外光一直到绿光范围内任何波长的LED，下标X代表磷元素取代砷元素的百分比。一般通过PN结压降可以确定LED的波长颜色。其中典型的有GaAs0.6P0.4 的红光 LED，GaAs0.35P0.65 的橙光LED，GaAs0.14P0.86 的黃光 LED等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些LED为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 LED 、GaP 的绿光 LED和GaAs红外光LED，被称为二元素发光管。而目前必威体育精装版的工艺是用混合铝(Al)、钙(Ca) 、铟(In)和氮(N)四种元素的AlGaInN 的四元素材料制造的四元素LED，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。 LED芯片的分类：　1.MB芯片定义与特点 定义：MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。 特点： (1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。 ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K (2)通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。 (3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适 应于高驱动电流领域。 (4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。 (5)尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB。　2.GB芯片定义和特点 定义：GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。 特点： (1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure) 芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。 (2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。 (3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。 (4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。　3.TS芯片定义和特点 定义：transparentstructure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。 特点: (1)芯片工艺制作复杂,远高于ASLED。 (2)信赖性卓越。 (3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。 (4)应用广泛。　4.AS芯片定义与特点 定义：Absorbablestructure(吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光 电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售 处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平 基本处于同一水平,差距不大。 大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所 谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR,709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。 特点： (1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。 (2)信赖性优良。 (3)应用广泛。发光强度：? 发光强度的衡量单位有照度单位（勒克司Lux）、光