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《模拟电子技术》练习题一 一、选择题 1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ ）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率 2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ ）（ ）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 3、 如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。 A 电流并联负反馈 B 电流串联负反馈 C 电压并联负反馈 D电压串联负反馈 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 5、共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 7、振荡器的输出信号最初是由（ ）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号 8、 当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC ( )uB( )uE 。 A B C = D ≤ 9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。 A 大 B 小 C 相等 10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。 A 击穿电压 B 死区 C 饱和 11、 当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。 A增大 B减小 C不变 D无法判定 12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。 A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。 13、晶体三极管是( )控制型器件。 A 电流控制电流源 B电流控制电压源 C电压控制电流源 D电压控制电压源 14、 晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。 A 发射结正偏、集电结正偏 B发射结正偏、集电结反偏 C 发射结反偏、集电结正偏 D发射结反偏、集电结反偏 15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。 A．电流并联 B电压并联 C电流串联  D电压串联 16、空穴为少子的半导体称为( )。 A. P型半导体 B. N型半导体 C. 纯净半导体 D. 金属导体 17、晶体三极管工作在饱和区，发射结、集电结的偏置是（ ）。A发射结正向偏置，集电结反向偏置 B发射结正向偏置，集电结正向偏置C发射结反向偏置，集电结反向偏置 D发射结反向偏置，集电结正向偏置 18、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（ ）。 A、有微弱电流 B、无电流 C、有瞬间微弱电流 19、三极管的反向电流ICBO是由（ ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 20、关于反馈对放大电路输入电阻Ri的影响，( )是正确的。 A 负反馈增大Ri，正反馈减少Ri B 串联反馈增大Ri，并联反馈减小Ri C 并联负反馈增大Ri，串联正反馈减少Ri D 串联负反馈增大Ri，并联负反馈减小Ri 二、填空题 1、自由电子为（ ）载流子，空穴为（ ）载流子的杂质半导体称为（ ）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（ ），反偏时（ ）。 3、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（ ）控制文件。 4、当温度升高时三极管的集电极电流IC（ ），电流放大系数β（　　　　）。 5、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（　　　）负反馈。为了稳定输出电流，采用（　　　）负反馈。 6、晶体管的导电方式为（ ）。 7、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ ）反之称为（ ） 8、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。 9、当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（ ）所以Ic