單片机实验指导书074.docVIP

实验设备： Dais系列单片机微机仿真实验箱一台、具有一个RS232串行口并安装Dais集成开发环境的计算机一台。 实验原理及环境： 在计算机上已安装Dais集成开发环境软件。这个软件既可以与硬件连接，在硬件（单片机）上运行程序；也可以不与硬件连接，仅在计算机上以虚拟仿真的方法运行程序。如果程序有对硬件的驱动，就需要与硬件连接；如果没有硬件动作，仅有软件操作，就可以使用虚拟仿真。 实验要求 1.进入实验室前完成的部分 1）认真阅读实验指导书，弄懂实验原理和实验内容。 2）画出程序流程图，编写实验所要用到的程序，将其放在U盘上。 3）写出预习报告。 2. 进入实验室后完成的部分 1）建立工程，加入已准备好的程序文件。 2）对程序进行调试，修改错误，获得要求的结果。 3）保存调试后的程序。 3.实验结束后的部分 对实验结果进行分析、总结，写出实验报告。 实验报告内容及格式 1.实验目的 2.实验设备 3.实验原理及环境 4.实验内容 只做文字叙述，程序部分放在程序清单中。画出程序流程图。 5.程序清单 本实验使用的完整程序。如果使用了本实验或前面实验中完全相同的子程序，可不列写，只做注明即可。 6.实验步骤 7.实验总结 主要包括对实验结果、调试过程、错误及产生的原因的分析，以及本次实验的重要收获 等。 实验一 实验板使用 一、实验目的 1. 熟悉单片机实验版 2. 学习简单程序的调试方法 3. 掌握存储器读写方法 二、实验说明 本实验指定某块存储器的起始地址和长度，要求能将其内容置1或清0。通过该实验学生可以了解单片机读写存储器的方法，同时也可以了解单片机编程、调试方法。 三、实验内容 （1）把外部RAM2001～20FFH的内容清0； （2）把2000H的内容拆开，高位送2001H低位，低位送2002H低位，2001H、2002H高位清零。 四、实验步骤 ★本实验涉及外部数据存储器扩展寻址操作，因此在实验前须连接好外部存储器相关电 路： 　　（1）将存储器单元的D0～D7总线接口用8芯排线或8芯扁平线与数据总线单元D0～D7的任一接口相连，存储器单元的A0～A7地址接口与地址总线单元（低8）A0～A7的任一接口相连，存储器单元的A8～A15地址接口与地址总线单元（高8）A8～A15的任一接口相连。 　　（2）存储器单元的MWR与控制总线单元的IOW相连。 　　（3）存储器单元的MRD与控制总线单元的IOR相连。 　　（4）存储器单元的MACS与地址总线单元的A15相连。 （5）分别编译、装载程序，以连续或单步方式运行程序，观察存储块数据变化情况，并打开CPU窗口，选择单步或跟踪执行方式运行程序，观察CPU窗口各寄存器的变化，可以看到程序执行的过程，加深对实验的了解。 五、思考题 （1）把内部RAM20H地址开始的连续10个单元的内容置1，如何修改程序； （2）如何把2000H、2001H的低位分别送入2002H高低位。 实验二 汇编语言程序设计 一、实验目的 1.进一步熟悉汇编语言编程和程序调试 2.学习P1口的使用方法 3.学习延时子程序的编写和使用 二、实验说明 P1口是准双向口,它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同。由准双向口结构可知当P1口用作输入口时，必须先对口的锁存器写“1”，若不先对它写“1”，读入的数据是不正确的。 三、实验内容 P1作为输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮； 四、实验步骤 P1.0～P1.7用插针连至L1～L8，运行程序后，观察发光二极管闪亮移位情况。 五、参考流程图 六、思考题 用P1.0、P1.1作输入接两个拨断开关，P1.2、 P1.3作输出接两个发光二极管。程序读取开关状 态，并在发光二极管上显示出来。即P1.0～P1.1 用插针连至拨断开关K1~K2，P1.2～P1.3用插针 连至L1～L2，输入源程序，编译无误后，全速运 行程序，拨动拨断开关，观察发光二极管的亮灭 情况。 实验三 中断系统应用实验 一、实验目的 1.掌握外部中断技术的基本使用方法 2.掌握中断处理程序的编写方法 二、实验说明 1.外部中断的初始化设置共有三项内容：中断总允许即EA=1，外部中断允许即EXi=1（i=0或1），中断触发方式设置。中断触发方式设置一般有两种方式：电平触发方式和脉冲（边沿）触发方式，本实验选用后者，其前一次为高电平后一次为低电平时为有效中断请求。因此高电平状态和低电平状态至少维持一个周期，中断请求信号由引脚INT0(P3.2)和INT1(P3.3)引入，本实验由INT1(P3.3)引入。 2.中断服务的关键： a、保护进入中断时的状态。 堆栈有保护断点和保护现场的功能使用PUSH指令