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选择题 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（ A ）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（ E ）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（ C ）导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 电子是带（ B ）电的（ E ）；空穴是带（ A ）电的（ D ）粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 当Au掺入Si中时，它是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作用；当B掺入Si中时，它是（ C ）能级，在半导体中起的是（ A ）的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ A ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ A）。 A.变大，变小 ；B.变小，变大；C.变小，变小； D.变大，变大。 砷有效的陷阱中心位置（B ） 靠近禁带中央 B. 靠近费米能级 在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 如图所示的P型半导体MIS结构 的C-V特性图中，AB段代表 （ A ），CD段代表（ B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（ A ）。 A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e 载流子在电场作用下的运动为（ A ），由于浓度差引起的运动为（ B ）。 A. 漂移运动 B. 扩散运动 C. 热运动 13．锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 14．非简并半导体是指（ A ）的半导体。 A.能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 B.用费米分布计算载流子浓度 15． 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（B ），并且该乘积和（D）有关，而与（ C ）无关。 A、变化量； B、常数； C、杂质浓度和杂质类型； D、禁带宽度和温度 二、证明题 对于某n型半导体，其杂质浓度为,试证明 对于某半导体，其能带如图所示，试证明其为P型半导体，即证明p0n0 三、计算画图题 1. 计算（1）掺入ND为1×1015个/cm3的施主硅，在室温（300K）时的电子n0和空穴浓度p0，其中本征载流子浓度nI =1010个/cm3。（2）如果在（1）中掺入NA=5×1014个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少？ 2．室温下，硅本征载流子浓度nI=1010个/cm3，，（1）计算本征电导率， （2）若硅原子的浓度为，掺入施主杂质，使每个硅原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)，试求该掺杂硅材料的电阻率。 3、施主浓度的N型硅En=0.12eV，其亲和势为，与功函数为4.3 eV的金属Al紧密接触，（1）接触后形成阻挡层还是反阻挡层，（2）求半导体端和金属端的势垒高度。 4．MIS结构中，以金属—绝缘体—P型半导体为例，当VG0但不是很大时，半导体表面空间电荷区为什么状态，并画出此时的能带图和电荷密度分布图。 解：当金属与半导体之间加正电压，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的空穴浓度较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态