模电习题库2015年.docVIP

电子技术（一）习题库 2015年5月 填空： 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 在N型半导体中，电子为多数载流子， 为少数载流子。 当半导体二极管正偏时，势垒区 ，扩散电流 漂移电流。 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，不能移动的杂质离子带 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，不能移动的杂质离子带 电。 三极管的内部结构是由 区、 区、 区及 结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极和 极。 PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 ，有利于 的 运动而不利于 的 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 ，有利于__________的 运动而不利于 的 ，这种情况下的电流称为________ 电流。 PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 向 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 向 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 ，其方向由 ____区指向 区。 的建立，对多数载流子的 起削弱作用，对少子的 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， 形成。 本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与__________有很大关系。 11、半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 12、当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。 13、在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 14、N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 15、N结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。 16、PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 17、整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 18、在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。 19、当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 20、用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。 21、硅稳压管是工作在_________状态下的硅二极管，在实际工作中，为了保护稳压管，需在外电路串接 _________。 22、晶体三极管（简称三极管或晶体管）是由两个PN结构成的一种半导体器件，从结构上看可以分为_______和_________两大类型。 23、三极管具有电流放大作用的内部条件是 ： （l）_____区很薄 ；（2）_______区的多数载流子的浓度较高 ；（3）_______结的面积较大 。 24、三极管具有放大作用的外部条件是 ： （l）_______结正向偏置 ；（2）________结反向偏置 。 25、三极管的工作有赖于两种载流子——自由电子和空穴，因此又称它为_______ 晶体三极管 。 26、PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中____ 极电位最高，____极电位最低 。 27、三极管的电流放大作用是指三极管的______电流约是_____电流的β倍，即利用_____电流，就可实现对_____电流的控制。 28、三极管正常放大时，发射结的导通压降变化不大