模拟电子技术期试卷.docVIP

一、填空题（每空1分，共20分） 1． P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。 2． 在室温附近，温度升高，杂质半导体中____________的浓度将明显增加。 3． 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。 4． 按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。 5． 稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。 6． 三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。 7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8． 图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则UAB 为____________伏。 图1 9． 电路图如图(，RC = 3k(，晶体管β= 20，VCC = 12V。现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流IC不变，且忽略UBE，应把RB调整为____________k(。 图2 10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1 = (1.2mA，I2 = (0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知： (1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是__________极。 (2) 此晶体管的电流放大系数(约为__________。 (3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。 I1 I2 I3 图3 二、选择题（每小题2分，共20分） 11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会 ( ) A．不变 B．变窄 C．变宽 D．不定 12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 ( ) A．本征半导体 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 13．从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施NPN型与PNP型三极管的区别是 A．由两种不同材料硅和锗制成 B．掺入杂质元素不同 C．P区或N区的位置不同 D．死区电压不同 (0.3V，③脚U3 = 8V，则可判定该管是 ( ) A．B．C．D． A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．状态不能确定 18．三种基本放大电路中电压放大倍数近似等于1的是 ( ) A．共基极放大电路B．共集电极放大电路 C．共发射极放大电路D．无法确定 ui = 2sin(t，V1、V2均为硅管，导通电压为0.7V。试据输入电压波形画出输出电压波形（必须考虑二极管的导通电压） 图5 uo / V 22．简述图6所示三极管电路不能实现正常放大作用的理由。 图 23．对于图7所示放大电路： (1) 画出放大电路的微变等效电路。 (2) 写出Au =，ri和ro的表达式。 四、（8分）一硅稳压管稳压电路如图8所示，其中硅稳压管的稳定电压UZ = 8V，动态电阻rZ及未击穿的反向电流均可忽略，未经稳压的直流输入电压UI = 30V。试求： (1) Uo、Io、I及IZ的值。 (2) 当UI降低为15V时的Uo、Io、I及IZ的值。 图8 五、（8分）图9所示电路中，( = 50，UBEQ = 0.6V，UCC = 12V，RB = 20k(，RC = 3k(。 (1) 画出电路的直流通路。 (2) 求放大电路的静态工作点。 六、（10分）电路如图10所示，三极管的UBE = 0.6V，( = 80。试分析当开关S分别接通