模拟电路第五章技术总结.pptVIP

二 图解法 图解法求基本共源放大电路的 静态工作点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 5.4.1 FET静态分析 Q点： UGSQ 、 IDQ 、 UDSQ UGSQ UDSQ 已知UP 或 UGS（Off 　 VDD - IDQ Rd + R - IDQR 可解出Q点的UGS Q、 IDQ 、 UDSQ 如知道FET的特性曲线，也可采用图解法。 二、自给偏压电路 JFET自给偏压共源电路 耗尽型MOS管自给偏压共源电路的分析方法相同。 IDQ 5.4.1 FET静态分析 三、分压式偏置电路 1 MOS管分压式偏置电路Q点近似估算法 根据输入回路列方程 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 列输出回路方程求 UDSQ UDSQ VDD – IDQ RD + RS 将IDQ 代入，求出UDSQ MOS管分压式偏置电路 VDD + + ? T + RG S D G RD R2 RL RS R1 C1 CS C2 + + + 5.4.1 FET静态分析 可变电阻区 饱和区 截止区 当 uGS＜VT 时 ，导电沟道尚未形成，ID 0为截止工作状态 对于N沟道增强型MOS管电路的直流计算，应该区分： 5.4.1 FET静态分析 （2）结型场效应管分压式自偏压电路Q点近似估算法 5.4.1 FET静态分析 UDSQ VDD – IDQ RD + R 可变电阻区 饱和区 截止区 当 uGS＜VP 时 ，ID 0，为截止工作状态 对于N沟道JFET管电路的直流计算，应该区分： ﹤ ﹥ ﹤ 5.4.1 FET静态分析 3 图解法 由式 可做出一条直线， 另外，iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工作点，确定 UGSQ， IDQ 。 MOS管分压式偏置电路 VDD + + ? T + RG S D G RD R2 RL RS R1 C1 CS C2 + + + 5.4.1 FET静态分析 根据漏极回路方程 　　在漏极特性曲线上做直流负载线， 与 uGS UGSQ 的交点确定 Q，由 Q 确定 UDSQ 和 IDQ值。 UDSQ uDS VDD – iD RD + RS 3 uDS/V iD/mA 0 1 2 15 2 V 10 5 uGS 4.5V 4V 3.5V UGSQ 3 V VDD Q IDQ uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ UGQ 5.4.1 FET静态分析 场效应管的微变等效电路 G S D 跨导 漏极输出电阻 uGS iD uDS 1. FET小信号模型 5.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 很大， 可忽略。 场效应管的微变等效电路为： G S D uGS iD uDS 一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rDS 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rDS 小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路。 5.4.2 FET小信号模型分析 S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 5.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 5.4.2 FET小信号模型分析 （2）高频模型 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 5.4.2 FET小信号模型分析 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rD 由输入输出回路得 则 通常 则 rgs极大,g、s间可视为开路 5.4.2 FET小信号模型分析 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 得 解： （1）中频小信号模型 由 例题 （4）输出电阻 所以 由图有 5.4.2 FET小信号模型分析 共源极放大电路如图示。试画出小信号等效电路，求输入电阻、小信号电压增益、源电压小信号电压增益和输出电阻。 例题 1.小信号等效电路 2.求小信号电压增益 3.源电压小信号电压增益 4.求输出电阻 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 5.1 结型场效应管 5.2 金属-氧化物-半导体场效应管 5.4 场效应管放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 IGFET 分类： 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在