DA和AD转换、半导体存储器.pptVIP

10.3.5 A/D转换器的主要技术指标 1. 转换精度 分辨率：描述的是输出数字量对输入模拟量变化的敏感程度，用输出数字量的位数表示。在输入模拟量的范围一定时，A/D转换器输出数字量的位数越多，对输入模拟量的分辨能力也越强。但分辨率仅仅表示A/D转换器在理论上可以达到的精度。 转换误差：描述实际能达到的转换精度。它表示A/D转换器实际输出的数字量和理想输出数字量的差别，通常用输出数字量最低位的倍数表示。 转换误差是综合性误差，它是量化误差、电源波动以及转换电路中各种元器件所造成的误差的总和。 2. 转换速度 用完成一次转换的时间来表示。它是从接到转换控制信号起，到输出端得到稳定的数字输出所需要的时间。 第七章 半导体存储器 7.1 概述 存储器的主要指标 （1）存储器的容量：存储器的容量 字数2n×位数m bit 字数2n表示有n位地址输入和2n个地址； m表示每个地址单元所访问二进制数据的位数； 8位为一字节（Byte）。 210 1024 1K, 220 1024K 1M, 230 1024M 1G， 240 1024G 1T 例：若访问容量为：211×8的存储器需要多少条地址线和数据线？ 答： 11条地址线，8条数据线。 2 存取时间 7.2 只读存储器ROM 例2 MOS管ROM 转换原理： 10.3.3 逐次渐近型A/D转换器 它由比较器、n位D/A转换器、n位寄存器、控制电路、输出电路等组成。 原理框图： 举例说明： 5V 3.4V 处 理 比较结果 vO d3d2d1d0 CP 1 2 3 4 1000 1100 1010 1011 2.5V 3.75V 3.125V 3.4375V vI＞vO vI＞vO vI＜vO vI＜vO （d3）1保留 （d2）1不保留 （d1）1保留 （d0）1不保留 1 0 1 0 4 3 2 1 0 vO t 3.4V 1 0 0 0 0 三位逐次渐近型A/D转换器电路： 寄存器 控制电路 输出电路 小结： 1、 逐次渐近型A/D转换器输出数字量的位数越多转换精度越高； 2、n位逐次渐近型A/D转换器完成一次转换所需时间为（n+2）个时钟信号周期。 ！电路不太复杂 ！转换速度较快 9.2.4 双积分式A/D转换器 双积分式A/D转换器的转换原理是：首先将输入的模拟电压转换成与之成正比的时间量T，然后在T内对固定频率的时钟脉冲计数，计数的结果就是一个正比于输入电压的数字量。 原理框图： 它由积分器、比较器、n位计数器、控制电路、固定频率时钟源CLK、开关S0和S1以及基准电压等组成。 优点：转换精度高、抗干扰能力强 1.由于转换结果与时间常数RC无关，从而消除了积分非线 性带来的误差。 2.由于双积分A/D转换器在T1时间内采样的是输入电压的平均值， 因此具有很强的抗工频干扰的能力。 3. 只要求时钟源在一个转换周期时间内保持稳定即可。 缺点：转换速度慢。 DAC0832：8位数/模转换器 ILE：允许数字量输入线 XFER：传送控制输入线 ADC0809：8位模/数转换器 EOC：转换结束输出线 OE：输出允许线 7.1 概述 7.2 只读存储器ROM 7.3 随机存储器RAM 7.4 存储器容量的扩展 半导体存储器能存储大量二值信息，是数字系统不可缺少的部分。 半导体存储器由大量存储单元组成，每个存储单元中存放一位二进制代码，称为位；一个或若干个存储单元构成一个字。 半导体存储器采用公用的输入和输出引脚的电路结构，并为每个字分配一个地址代码。只有输入指定的地址代码时，才能通过输入和输出引脚访问该地址所对应的字中的存储单元。 按存取方式分 随机存储器 （RAM） 静态RAM（Stantic RAM） 动态RAM（Dynamic RAM） 只读存储器 ROM 固定ROM（Mask ROM） 可编程ROM（PROM） 可擦可编程ROM（EPROM） 现场可改写的非易失性存储器 （E2PROM，Flash Memory） 半导体存储器的分类 按制造工艺分 双极性型 CMOS型 只读存储器ROM：用于存储固定信息的器件，在断电后所保存的信息不会丢失。把数据写入到存储器以后，正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能根据地址读出，不能写入。只读存储器主要应用于数据需要长期保留并不需要经常改变的场合，如各种函数表、需要固化的程序等。 随机存取存储器RAM：能够随时根据给出的地址选择存储单元，对其中的数据进行“读”或“写”的操作（数据读出后原数据不变；新数据写入后，原数据自然丢失，并被新数据所替代）。但同时它也存在数据的易失性，一旦断电所存的数据便会丢失。因此RAM常用于存放系统中经常变化的数据。在一些重要场合还需要与备用电