2007年第四我爱奥赛杯化学竞赛.docVIP

我爱奥赛网2007年第四届“我爱奥赛杯”高中化学竞赛试题 （考试时间：2007年8月26日 9：00 - 12：00） 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 总分 满分 5 4 6 11 6 8 12 11 9 11 8 9 100 得分 评卷人 竞赛时间3小时。迟到超过30分钟者不能进考场。开始考试后1小时内不得离场。时间到，把试卷(背面朝上)放在桌面上，立即起立撤离考场。 姓名、考号和所属学校必须写在首页左侧指定位置，写在其他地方者按废卷论。 请将答案写在指定的位置。 允许使用非编程计算器以及直尺等文具。 第1题（5分）最近美国科学家利用世界上最大的绿湾射电天文望远镜(Robert C. Byrd Green Bank Telescope，简称GBT)所得到的太空数据，发现了宇宙空间中迄今为止最大的负离子(anion)。这也是科学家在不到一年时间里所发现的第三种带负电粒子该发现有望对星际化学研究产生重大的影响。：C2H与C6H2分子结合，产生一个C8H2和一个氢原子；放射线作用让C8H2失去一个氢原子，产生C8H和一个氢原子；而后一个电子与C8H结合，产生负离子，并释放出射线暴。Mendelevium）。他的首次合成是用α粒子轰击Es得到，同时放出一个中子。后来苏联杜布纳联合核子研究所用Ne轰击U靶，并放出四个常见的实物粒子，也获得了Md原子，请写出以上两个核反应方程式。 第3题（6分）、最近厦门大学孙世刚教授首次制备出具有高表面能的二十四面体铂纳米晶粒催化剂，显著提高了铂纳米催化剂的活性和稳定性，这一成果发表在2007年5月4日的《science》杂志上。传统的化学法只能合成低表面能的金属纳米晶体，一般是立方体、八面体或是截角八面体，二十四面体是一种十分罕见的晶体形状Miller方法用晶面（或者平面点阵）在三个晶轴上的截数的倒数的互质整数比来标记。 比如某晶面在三个晶轴a,b,c轴（相当x,y,z轴）上的截数是r,s,t（截数等于截长／单位长度，相当于坐标），那么1/r, 1/s, 1/t之比，化为最简互质的整数比，就是晶面指标。 111）晶面就是在a,b,c三个晶轴上的截长都相等的晶面CO2 ,发现有少量副产物生成，其中一种为甲酸甲酯，试分析甲酸甲酯产生的原因。 第4题（11分）、铬镀层光亮，坚硬，耐热耐磨，是优良的装饰性和保护性镀层，长期以来都以六价铬电镀工艺为主，这种工艺污染大，毒性高，我国的《电子信息产品污染控制管理办法》明确规定，从2007年3月1日起控制六价铬工艺的使用kg· dm、体积 10dm3的水溶液。电解时使用了150A电流，通电10.0 h，dm3.(气体体积在标准状况下测定) 4-1 写出有关的电解的总反应。 4-2 求电镀的电解效率。 4-3 释放的气体体积与理论值是否一致？试通过计算说明，如果不一致，试分析导致这种差异的原因。 4-4某研究小组设计实验回收含该电镀废液（主要含Cu2+,Cr3+,Cr2O72-）中的铬,所用到的试剂有Na2SO3,Na2S,NaOH（铬以Cr(OH)3形式回收）。写出该小组的实验方案所涉及到的方程式。 4-5 上述实验铬的回收效率与NaOH的用量有关，如下图所示，分析下图变化的原因。 第5题（6分）、半导体器件大多是在薄膜或薄膜结构上制造的，厚度从纳米级到微米级。薄膜生长技术有多种，如气相外延法（VPE），液相外延法（LPE），有机金属气相外延法（MOCVD）。 5-1 用VPE法生产硅半导体薄膜，以SiHCl3与另一种常见气体为原料在500℃制得，写出反应方程式。硅晶体中可能存在微量的铁，请用中学常用试剂设计实验检测微量铁的存在？ 5-2 MOCVD法有独特的优点，某金属有机镓化合物A与含H量为3.85%的气态化合物B以摩尔比 1：1反应得到具有重要作用的半导体材料C和一种常见气体D,D在标况下密度为1.34g/L试推测A、B、C、D为什么物质。 5-3 有机金属气相外延法（MOCVD）的气体通常需要稀释，请指出稀释时常用的两种气体。 第6题（8分）、南京大学配位化学国家重点实验室是中国重要的配位化学研究基地，超分子纳米材料组装，金属离子在生命过程中的作用是其研究方向之一。最近实验室工作人员对诺氟沙星锰（Ⅱ）配合物进行了研究，发现该配合物具有二维纳米空洞方格的特殊结构，这一研究对生命科学和配位化学都具有重要的价值。 6-1 工作人员在不同pH条件下合成了配合物（1），（2），路径如下，请在方格中补充诺氟沙星阴离子的结构简式。配合物（1）的分子式为什么？ 6-2 配合物（2）晶体中