单片机8-1.ppt

§8-0 绪 §8-1 扩展三总线的产生 §8-2 扩展程序存储器 §8-3 扩展数据存储器 §8-4 简单并行I/O的扩展 §8-5 扩展8155可编程外围并行接口芯片 §8-6 扩展8255可编程外围并行接口芯片 §8-7 串行扩展总线接口技术 接口电路（这里指并行接口）作为单片机与外设间的缓冲界面应具备以下功能：① 每个端口都具有数据锁存和缓冲功能，以便暂存数据和信息② 每个端口都具有与CPU进行信息交换的应答信号；③ 具有片选与控制引脚，以作为CPU选中本芯片的片选端和传 送控制命令的被控端；④ 可用程序选择工作方式和功能，即通常讲的可编程。 §8.1 扩展三总线的产生 通常情况下，微机的CPU外部都有单独的地址总线、数据总线和控制总线。 一、片外三总线的结构 如图： 1、地址总线（Address Bus，AB） 2、数据总线（Data Bus，DB） 3、控制总线（Control Bus，CB） 二、系统扩展的实现 以P0口作地址/数据总线 以P2口的口线作高位地址线 控制信号线 其中包括： ① ALE ② /PSEN ③ /EA ④ /RD和/WR §8.2 扩展程序存储器 1、访问程序存储器的控制信号 （1）ALE （2）/PSEN （3）/EA 2、操作时序 （1）应用系统中无片外RAM，如图8-4（a） （2）应用系统中接有片外RAM，如图8-4（b） 由图8-4(b)可以看出： （1）将ALE用作定时脉冲输出时，执行一次MOVX指令会 丢失一个脉冲。 （2）只有执行MOVX指令时的第二个机器周期期间，地址总线才由数据存储器使用。 二、扩展 EPROM 单片机的程序存储器扩展使用只读存储器芯片。 只读存储器简称为ROM（Read Only Memory）。 ROM存储器是由MOS管阵列构成的，以MOS管的 接通或断开来存储二进制信息。 按照程序要求确定ROM存储阵列中各MOS管状态的过程叫ROM编程。 根据编程方式的不同，ROM共分为以下5种： （1）掩膜ROM 掩膜ROM简称为ROM，其编程是由半导体制造厂家完成的。即在生产过程中进行编程。因编程是以掩膜工艺实现的，因此称掩膜ROM，或写为mask ROM。 （2）可编程ROM（PROM） 这种ROM芯片只能写入一次，其内客一旦写入就不能再进行修改。一次写入就是一次可编程OTP（One Time Programble），因此通常把可编程ROM（PROM）写为otp ROM。 （3）紫外线擦除可改写ROM（EPROM） （4）电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM） （5）快擦写ROM（flash ROM） 典型的EPROM芯片有Intel公司的2716(2K×8)、2732(4?K×8)、 2764(8?K×8)、27128(16?K×8)、 27256(32?K×8)、27512(64?K×8)等。 2、扩展8KB EPROM 图8-6是用8031地址线直接外扩8KB EPROM的系统连接图。图中，由8031、74LS373和2764构成单片机最小系统。 2764的/CE引脚为片选信号输入端，低电平有效。图中，/CE接地表示选中该2764芯片。该片选信号决定了2764的8KB存储器在整个8031扩展程序存储器64KB空间中的位置。根据上述电路的接法，2764占有的扩展程序存储器地址空间为0000H～1FFFH。 3、扩展16 KB EPROM 其扩展方法与2764的扩展方法基本一样，不同之处只是P2口的高位地址线根据不同容量的芯片分别接到相应的地址线上，如图8-6。 27128与2764一样，也是28个引脚；与2764不同的是增加了一根地址线（A13，26引脚），而2764的26引脚为空脚（NC）。 27128的地址范围是0000H～3FFFH。 §8.3 扩展数据存储器 扩展数据存储器空间地址同外扩程序存储器一样， 由P2口提供高8位地址，P0口分时提供低8位地址 和用作8位双向数据总线。 片外数据存储器RAM的读和写由8051的/RD （P3.7）和/WR（P3.6）信号控制，而片外程序存 储器EPROM的输出端（/OE）由读选通/PSEN 信号控制。 一、常用的数据存储器芯片 数据存储器就是随机存储器。随机存储器（Random Access Memory）简称为RAM。 按其工作方式，RAM又分为 静态（SRAM）和 动态（DRAM）两种。 一、常用的数据存储器芯片 静态RAM，只要电源加上，所存信息就能可靠保