半导体测试程序.docVIP

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2016-08-23 发布于河南
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半导体测试程序

S9014(TO-92) PRE-AMPLIFIER,LOW LEVELLOW NOISE Package: TO-92S PIN STYLE 1 2 3 NO.1 E B C * Complement To S9015 * Collector Current﹕Ic=100mA * Collector-Emitter Voltage: Vce=45V. * High Total Power Dissipation : Pt=400mW * High Hfe And Good Linearity. Absolute Maximum Ratings at Ta=25℃ Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 50 V Collector-Emitter Voltage Vceo 45 V Emitter-Base Voltage Vebo 5 V Collector Current Ic 100 mA Collector Dissipation Pc 400 mW Junction Temperature Tj 150 0C Storage Temperature Tstg -55*+150 0C Electrical Characteristics at Ta=25℃ Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions Collector-Base Breakdown Voltage BVcbo 50 　　 V Ic=100uA Ie=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage BVceo 45 　　 V Ic=1mA Ib=0 Emitter-Base Breakdown Voltage BVebo 5 　　 V Ie=100uA Ic=0 Collector Cutoff Current Icbo 　　 50 nA Vcb=50V Ie=0 Emitter Cutoff Current Iebo 　　 50 nA Veb=5V Ic=0 DC Current Gain Hfe 60 280 1000 　 Vce=5V Ic=1mA Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat) 　 0.14 0.3 V Ic=100mA Ib=5mA Base-Emitter Saturation Voltage Vbe(sat) 　 0.84 1.00 V Ic=100mA Ib=5mA Base-Emitter On Voltage Vbe(on) 0.58 0.63 0.7 V Vce=5V Ic=2mA Output Capacitance Cob 　 2.2 3.5 pF Vcb=10V Ie=0 f=1MHzCurrent Gain-Bandwidth Product fT 150 270 　 MHz Vce=5V Ic=10mANoise Figure NF 　 0.9 10 d B Vce=5V Ic=0.2mAf=1KHz Rs=2KΩ CLASSIFICATION HFE Classification A B C D Hfe 60-150 100-300 200-600 400-1000 S9014(TO-92) S9014测试程序 M# 项目名 Min.Limit Max. Limit Bias1 Bias2 Bias3 时间不良合格 1 CONT 00.00mV 200.0mV IB= 1.00mA 2.50ms SORT 2 VCESAT 3.000V IC= 100mA IB= 10.0mA 380us SORT 3 BVCBO 4.000V 250.0V IC= 1.00mA Vmax= 250V 2.50ms SORT 4 BVCBO 50.00V 250.0V IC= 100uA Vmax= 250V 2.50ms SORT 5 BVCEO 4.000V 200.0V IC= 1.00mA Vmax= 200V 2.50ms SORT 6 BVCEO 45.00V 200.0V IC= 1.00mA Vmax= 200V 2.50ms SORT 7 BVEB 1.000V 20.00V IE= 1.00mA V