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3.当 、 没变化时，回路总电容 对应振荡频率为: 2.晶体管输入电容Ci、输出电容Co与回路电容C2、C1相并联。而Ci、Co与晶体管工作状态和外界条件有关。 4.当Co变化ΔCo，Ci变化ΔCi时，总电容的增量 其中： 5.要提高频率稳定度一定要尽可能减小ΔC∑的变化。也就是在ΔCo和ΔCi一定时，P1和P2要同时尽可能减小。一般电容三点式振荡电路P1、P2不可能同时减小，故频率稳定度不可能做得较高。 二、克拉泼（Clapp）振荡电路 在电感支路串接小电容C3； 满足C3＜＜C1，C3＜＜C2； 回路总电容为： 1.电路形式 c e b Xce为容抗，Xbe为容抗同性质。Xcb可等效为感抗，与Xce、Xbe反性质。 满足电容三点式振荡器相位平衡条件判断准则，为电容三点式振荡电路。 3.振荡频率 ∴克拉泼（Clapp）振荡器的振荡频率为： 2.相位平衡条件（正反馈） 总的电容增量为： 其中: 4.稳频原理 性能分析 （1）P1 、P2可以同时减小，△C∑可很小，故频率稳定度比一般电容三点式要高。 （2）P1 、P2的减小受到电路起振条件的限制，频率稳定度不可能很高。 （3）克拉泼电路主要用作固定频率振荡器。因为改变C3可以调节频率，但P1、P2随C3变化对电路不利。 三、西勒（Siler）振荡电路 c e b c e b 4 Xce为容抗，Xbe为容抗同性质。Xcb可等效为感抗，与Xbe、Xce反性质。满足电容三点式振荡器的相位平衡条件判断准则，为电容三点式振荡电路。 2.相位平衡条件（正反馈） 西勒电路是在克拉泼电路基础上，在电感L两端并联一个电容C4。电路条件仍是C3＜＜C1，C3＜＜C2，C3与C4同数量级，回路总电容为： 1.电路特点 3.振荡频率 4.总结 这种电路保持了克拉泼电路中晶体管与回路耦合弱的特点，频率稳定度高。调频时，输出振荡电压幅度基本平稳，可作为变频振荡器。 第六节 晶体振荡电路 一、石英晶体的引入 克拉泼和西勒电路的频率稳定度高的原因是接入了一个小电容C3使P1、P2同时减小，但同时导致QL下降。因而其频率稳定度只能达到10-4量级。石英振荡器具有极高的Q值和良好的稳定性，频率稳定度在10-5～10-11量级范围内。 二、石英晶体的等效电路 晶体的电路符号和等效电路 动态电感Lq:很大，几十毫亨到几十亨； 动态电容Cq:很小，一般为10-3PF量级； 动态电阻rq:很小，一般为几欧~几百欧； 静态电容Co:约2～5PF； 品质因数Qq:很高，达105～106量级。 石英晶体的特点是具有压电效应。不同型号的晶体具有不同的机械自然谐振频率。当外加电信号频率等于晶体固有的机械谐振频率时，晶体的振动幅度最强，感应的电压也最大，表现出电谐振。石英晶振的振动具有多谐性,有基频振动和奇次谐波泛音振动。前者称为基频晶体，后者称为泛音晶体。 特点 晶体的参数值十分稳定，因此它的等效谐振回路有很高的标准性； 具有极高的Q值； CqCo，因此晶体的接入系数很小，外电路对它的影响很小。 晶体管等效电路有两个谐振频率 ①串联谐振频率： ②并联谐振频率： 两个频率之差很小： 二、石英晶体的阻抗特性 1.忽略rq时，总阻抗为: （1）当wwq和wwp时，Xe0 ，晶体等效为电容； （2）当w=wq时，Xe=0 ，晶体等效为短路； （3）当wqwwp时，Xe0 ，晶体等效为电感； （4）当w=wp时，Xe→∞，晶体为并联谐振。 总结 晶体使用的两种模式： 时，晶体 短路线 时，晶体 电感 三、晶体振荡电路 （一）并联型晶体振荡器——晶体在电路中等效为高Q电感 1.两种基本类型电路 电容三点式振荡电路 电感三点式振荡电路 皮尔斯振荡器 密勒 振荡器 2.并联型晶体振荡器（以皮尔斯振荡器为例） C1 C2 △Co △Ci △C∑ △C∑ △C △C （1）相位平衡条件 由于Xce容抗，Xbe容抗，Xcb晶体等效为感抗，满足三点式振荡器相位平衡条件的判断准则。电路为正反馈。 （2）振荡频率 令 称为负载电容。由等效电路可得 故 可见振荡频率w0在wq与wp之间，晶体等效为电感。 （3）稳频原理 和 很小，不稳定电容 、 的影响非常小。关键 很小， 的Q很高。 由等效电路可知 其中， ， ①振荡频率与fq和负载电容CL有关。 ②振荡频率一定在fq与fp之间，晶体等效为电感。 ③因串、并联频率相差很小，因此振荡器频率稳定度