电子技术基本技能复习题(修正版).doc

电子技术基本技能复习题 （注意：看到不完整的双机打开，计算题） 一．填空题 1.贴片电阻上标注“101”，其阻值是 100 。 2.色环电阻金色表示误差是 +-5% 。 3.电阻选用主要考虑 标称阻值 、 额定功率 、 误差 等。 4.大容量电解电容主要用在 滤波电路 。 5.二极管具有 单向导电 特性，外加正向电压时，二极管 导通 ；外加反向电压时，二极管 截止 。 6.锗二极管的死区电压是 0.5 V，硅二极管的死区电压是 0.2 V。 7.在P型半导体中 多空穴 是多数载流子，N型半导体中 多电子 是多数载流子。 8.在选用整流二极管时，主要考虑 的两个参数是 最大整流电流 和 最大反向工作电压 。 9．在数字电路中，晶体管三极管一般工作在 截止 区和 饱和 区，起开关的作用。 10．PN结加正向电压时，PN结 导通 ，正向电阻 变小 。 11．点接触型二极管结面积 小 、结电容 小 、正向电流 小 。用于 检波 和 整流 等高频电路。 12．当三极管的发射结正偏，集电结正偏时，三极管工作在 饱和导通 状态。 13．锗二极管正向导通压降为 0.3~0.4 ，硅二极管正向导通压降为 0.6~0.7 。 14.整流的作用是_ _交流电变直流电_______,滤波的作用是_____把动脉直流转变为平滑直流__________,稳压的作用是____ __稳定直流电压__________。 15.摩根定律的表示形式是=__ =__非A+非B____ (__)____。 16.A+AB=__A___,__A+B___ 17．三极管是 电流 控制型器件，而场效应管是 电压 控制型器件。 18.在门电路中，最基本的三种门电路是 与 门 非 门和 或 门。 19.常用焊接工具有 电烙铁 、 热风枪 、 吸锡器 等。 20．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10?V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 9-- 10 V，二极管所承受的最大反向电压为 10 V。 21. 放大器级间耦合方式有三种： 阻容 耦合, 直接 耦合, 变压器 耦合,在集成电路中通常采用 直接 耦合。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ= 0 、静态时的电源功耗PDC??= 0 。这类功放的能量转换效率高，但这种功放有 交越 失真。 二、选择题 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．稳压二极管稳压时，其工作在( B )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区 3．当环境温度降低时，半导体的导电能力会（ A ）。 A．减弱 B．不变 C．不确定 D．增强 4．锗二极管正向导通时，其管压降约为（ B ）。 A．0.1~0.2V B．C． 0.2~0.3V C． 0.6~0.7V D．0.9~1.0V 5．晶体三极管工作在（ D ）状态时，具有开关作用。 A．导通 B．击穿 C．放大 D．饱和与截止 6．晶体三极管处于放大状态工作时其两个PN结是（A ）。 A．发射结正偏，集电结反偏 B．发射结正偏，集电结正偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 7．在共发射极放大电路中，由集电极输出的信号与基极输入的信号之间相位关系是（ C ）。 A．同相 B．相位相差45度 C．相位相差180度 D．相位相差90度 8．分压式偏置电路的主要作用是（ A ）。 A．稳定静态工作点 B．提高放大倍数 C．提高输入电阻 D．降低输入电阻 9.逻辑符号如下图所示，能实现逻辑功能的是（ C ）。 10．设正弦波信号的有效值为U，经全波整流