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2017-06-07 发布于天津
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1.求势垒高度为0.8v的au-si肖特基二极管的空穴电流和电子.ppt

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1.求势垒高度为0.8v的au-si肖特基二极管的空穴电流和电子

习题Ⅳ 1. 求势垒高度为0.8V的Au－Si肖特基二极管的空穴电流和电子电流的比值。硅为n型，电阻率为1Ωcm，寿命τp＝100μs，μp＝400cm2/ Vs 。 2、一个欧姆接触的面积为10－5cm2，比接触电阻为10－6Ωcm2，这个欧姆接触是在一个n型硅上形成的。若ND＝5×1019cm－3，ФBn＝0.8V，电子有效质量为0.26m0,求有1A正向电流通过时，欧姆接触上的电压降。 3、当T 300K时，考虑以金作接触的n沟GaAs MESFET，假设势垒高度为0.89V，n沟道浓度为2×1015cm-3，沟道厚度为0.6μm，计算夹断电压和内建电势。（GaAs介电常数为12.4） 4 、 n沟GaAs MESFET，其中ФBn＝0.9V，ND 1017cm-3，a＝0.2μm，L＝1μm，Z＝10μm，载流子迁移率为。 a 这是增强型还是耗尽型器件。 b 求阈值电压。 c 求VG＝0时的饱和电流。 d 计算截止频率。 5、若两n沟GaAs MESFET的势垒高度均为0.85V，器件1的沟道掺杂浓度为4.7×1016cm-3，器件2的沟道掺杂浓度为4.7×1017cm-3，计算出阈值电压为零时，两器件分别所需的沟道厚度。 * * * * *