传感器().docVIP

#电容传感器：利用电容量的变化测量非电量的变化的可变电容器 #精密度：说明测量结果的分散性，越小越精密。准确度：偏离真值的程度。精确度：测量的综合优良程度，以测量误差的相对值来表示，为两者的代数和 #热电式传感器：是一种将温度变化转换为电量变化的装置，利用传感元件的电磁参数，随温度变化的特性来达到测量的目的。 #霍尔效应：将一块半导体薄片放在磁场中当有电流I通过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生的电动势Uh，该电场力Fe将阻止电子继续偏转F1=Fe。应用在测量技术，自动控制，电磁测量，计算装置以及现代化军事技术领域。 #光电效应：外光电效应：在光作用下，物体内的电子溢出物体表面向外发射的现象。内光电效应：当光照在物体上，使物体的电阻产生变化或产生光生电动势的效应。] #半桥差动Vo=U[(R1+△R1)/(R1+△R1+R2—△R2)—R3/(R3+R4)] 设R1=R2=R3=R4, △R1=△R2 则V=U△R1/2R1 Sv=U/2 这时Uo与△R1/R1成严格线性关系，无非线性误差而是灵敏度提高了一倍，还有温度补偿作用。 #差分变压器式传感器设计要求原则1严格对称性线圈磁路铜线气隙2电源必须专用信号源——稳幅稳频有足够的输出功率3升压比越大越好，灵敏度高，太高稳定性差4气隙越小灵敏度越高量程越小5信号源频率：频率过低时感抗减小，变压效果不好；高时，铁损加大辐射加大6设计好绝缘骨架：以固定动铁衔铁线圈7尽量减小次初级电流，避免衔铁受较大电磁吸引。 #零点残余电压：它表现在电桥欲平衡时，无法实现平衡，最后总要存在着某个输出值△Uo称为零点残余电压。原因：1一组两个传感器不完全对称，如几何尺寸，电器参数，磁路参数不对称2存在寄生参数3供电电源有高次谐波，而电桥只能对基波较好的预平衡4供电电源很好但磁路本身存在非线性5工频干扰。克服方法：1加屏蔽保护2电源用不同工频3选择正确磁路材料，不要过高的提高供电电压4在桥壁上添加调节元件5加带通滤波器 #概念 电容传感器：利用电容量的变化测量非电量的变化的可变电容器 精度：精密度：说明测量结果的分散性，越小越精密。准确度：偏离真值的程度。精确度：测量的综合优良程度，以测量误差的相对值来表示，为两者的代数和 热电传感器：是一种将温度变化转换为电量变化的装置，利用传感元件的电磁参数，随温度变化的特性来达到测量的目的。 霍尔效应: 将一块半导体薄片放在磁场中当有电流I通过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生的电动势Uh，该电场力Fe将阻止电子继续偏转F1=Fe。应用在测量技术，自动控制，电磁测量，计算装置以及现代化军事技术领域 光电效应：外光电效应：在光作用下，物体内的电子溢出物体表面向外发射的现象。内光电效应：当光照在物体上，使物体的电阻产生变化或产生光生电动势的效应 分析 电位传感器负载对性能的影响：直线位移型：①空载时，负载特性为线性，RL=∞，u0=uiRX÷R,②不空载时，负载特性为非线性，RL≠∞，U0=UI÷RXRL／RX+RL 差动半桥电路：根据被测件的受力情况，若使一个应变片受拉，一个受压，则应变符号相反，测试时，将两个应变片接入电桥的相邻桥壁上，称为半桥差动电路。 半桥差动Vo=U[(R1+△R1)/(R1+△R1+R2—△R2)—R3/(R3+R4)] 设R1=R2，R3=R4,△R1=△R2 则V=U△R1/2R1 Sv=U/2 这时Uo与△R1/R1成严格线性关系，无非线性误差而是灵敏度提高了一倍，还有温度补偿作用。 3. 变压器传感器设计原则：①严格对称性线圈磁路铜线气隙②电源必须专用信号源——稳幅稳频有足够的输出功率③升压比越大越好，灵敏度高，太高稳定性差④气隙越小灵敏度越高量程越小⑤信号源频率：频率过低时感抗减小，变压效果不好；高时，铁损加大辐射加大⑥设计好绝缘骨架：以固定动铁衔铁线圈⑦尽量减小次初级电流，避免衔铁受较大电磁吸引。 4. 零点残余电压：使用普通交流电压表显示电感传感器的输出电压时，将没有负电压输出甚至没有0V输出的现象。原因：1一组两个传感器不完全对称，如几何尺寸，电器参数，磁路参数不对称2存在寄生参数3供电电源有高次谐波，而电桥只能对基波较好的预平衡4供电电源很好但磁路本身存在非线性5工频干扰。克服方法：①保证传感器的差动对称性（骨架线圈铁芯气隙）尽量使长输出电压相抵消②加入滤波电容，以滤去高次谐波③减少次级输出功率（加大负载），使铁芯不饱和处于线性区④同时加入幅值平衡和相位平衡调整的两个电位器，如自感式调零⑤使用差动相敏桥检波电路 磁电式传感器：磁电感应式、磁栅式、磁敏式 霍尔传感器：是利用霍尔效应实现词典转换的一种传感器 磁敏式传感器：利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性制成的传感器 磁敏式电阻器：