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二极管的参数解释 常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；交流参数有：开关速度、存贮时间、截止频率、阻抗、结电容等；极限参数有：最大耗散功率、工作温度、存贮条件、最大整流电流等。 我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流,而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性 合起来就产生了电容器的作用,即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷,当然要放电。放电可以在任何方向 进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法,严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显 表现出来。因此,二极管的极电容以小为好。　　最大额定值　　最大反向峰值电压VRM 即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。　　最大直流反向电压VR 上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,最大直流 反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。　　最大浪涌电流Isurge　　允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。　　最大平均整流电流IO　　在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。　　最大交流输入电压VI　　在半波整流电路(电阻负荷)上加的正弦交流电压的有效值。这也是选择整流器时非常重要的参数。 最大峰值正向电流IFM 正向流过的最大电流值,这也是设计整流电路时的重要参数。　　最大功率P　　二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在 二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。　　反向电流IR　　一般说来,二极管中没有反向电流流过,实际上,加一定的反向电压,总会有电流流过,这就是反向 电流。不用说,好的二极管,反向电流较小。　　反向恢复时间　　从正向电压变成反向电压时,理想情况是电流能瞬时截止,实际上,一般要延迟一点点时间。 决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。 类型 参数05Z6.2Y硅稳压二极管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,05Z7.5Y硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,05Z13X硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,05Z15Y硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,1N4001硅整流二极管50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二极管100V, 1A,1N4003硅整流二极管200V, 1A,1N4004硅整流二极管400V, 1A,1N4005硅整流二极管600V, 1A,1N4006硅整流二极管800V, 1A,1N4007硅整流二极管1000V, 1A,1N4148硅整流二极管75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391硅整流二极管50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)1N5392硅整流二极管100V,1.5A,1N5393硅整流二极管200V,1.5A,1N5394硅整流二极管300V,1.5A,1N5395硅整流二极管400V,1.5A,1N5396硅整流二极管500V,1.5A,1N5397硅整流二极管600V,1.5A,1N5398硅整流二极管800V,1.5A,1N5399硅整流二极管1000V,1.5A,1N5400硅整流二极管50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二极管100V,3A,1N5402硅整流二极管200V,3A,1N5403硅整流二极管300V,3A,1N5404硅整流二极管400V,3A,1N5405硅整流二极管500V,3A,1N5406硅整流二极管600V,3A,1N5407硅整流二极管800V,3A,1N5408硅整流二极管1000V,3A,1S1553硅开关二极管70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,1S1554硅开关二极管55V,100mA,300mW, 3.5PF