(英文翻译)设计与仿真W波段宽带低噪声放大器.docVIP

设计与仿真W波段宽带低噪声放大器？王Yawei1，于Weihua1的 ??????????????????????????????????????????技术1Beijing研究所，北京100081，PR中国 本文介绍了一个四阶段的W波段宽带低噪声放大器（LNA）采用单片微波集成电路（MMIC）的设计。所述LNA使用CPW作为输入和输出端口，并具有采用GaAs MHEMT技术的低噪声系数。为了降低芯片尺寸和电路的复杂性，单独的偏置电压供给是用在这种设计。该LNA已达到增益超过19分贝在频率范围90?113GHz的噪声系数比3.2分贝低。 ？ 关键词 - LNA，D007IH，MHEMT ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????由直流偏置电路，共我的方法的寄生参数。 INTRODUCTIONsimulation用于在AADS的MOM仿真工具势头。一个四阶段110GHz单片低噪声放大器STHE W波段技术被广泛应用于领域（LNA），提出了在本文中，它显示出噪声系数雷达，通信和电子对抗[1]，（NF）低于3.2分贝和19分贝的从低噪声放大器（LNA）的小信号增益具有广泛的军事和90GHz到113GHz。这是最低噪声LNA以往民间值作为位于该报告中相同频带的微波系统的关键组成部分。该电路具有接收器[2]的高前端。由于整合的配合尺寸1.30？0.51平方毫米噪声系数。微波系统依赖于前置放大器，低噪声放大器的性能的提高方面发挥重要作用二。 LNA对微波接收系统的技术水平的建筑设计原则。作为毫米波技术被广泛用于低噪声放大器的主要技术指标是噪声系数，现代无线通信系统中，在MMIC和微频率范围，小信号，稳定性和VSWR增益。在组装过程中被不断地发展和变化的，微波系统，NF和LNA的增益的同时小型化和影响系统的性能，重要的因素，其中，集成LNA也与日俱增的需求。 NF是特别important.The以前发表的W波段和D谱带的LNA是对于多级低噪声放大器，如4级放大器，通常是根据在InP上的HEMT，砷化镓PHEMT和GaAsthe噪声系数表示如下：MHEMT技术[ 3]。制作用的InP NF1NF1NF1 ??? NFNF ???? 234HEMT单片微波集成电路工艺的LNA具有1GG GG?G112123achieved高增益和低噪声指数的表现，它可以从上面的表达式可以看出，在第一技术的NF它已经发展比较阶段是显性和后续阶段NFmature的影响。相比在InP HEMT的技术，在GaAs由前级的增益减小。因此第一PHEMT技术也在发展良好，但它不阶段必须被设计成具有尽可能低的噪声和适于高频LNA的设计。噪声尽可能高的收益。否则，放大器必须在GaAs MHEMT的性能类似于在InP中的频带绝对稳定。用于W-HEMT的设计，同时它具有较低的成本，这是更合适的频段LNA，它应该包括设计和大规模生产的优化。因此将GaAs MHEMT技术是非线性器件参数，微带线和结构。本设计中使用。减小电路的尺寸，单偏压装置中的HEMT的技术供应的截止频率被用在这种设计。在本文中可以表示为偏置电压[4]所述的FET为1.2V，栅极电压为零。 vThe ADS软件用于分析在S参数和f？SATT？FET的L2noise性能和设计的LNA。以g模块fvADS可用于模拟和优化的电路。在这个表达式中，是截止频率，是TSAT ??????????????????????????????????????????????????Lsaturated电子漂移速度，并且是网格长度。 III。电路DESIGNg 从表达式，该装置带有一个小格长度具有非线性器件和A.选择基材的高截止频率。因此OMMIC 0.07？米砷化镓首先，它是需要选择一个合适的衬底。常见MHEMT技术用于这种设计，其具有在集成电路衬底用于0.07μmaterials主要的InP米网格长度，300GHz的截止频率和良好的噪声HEMT中，砷化镓PHEMT，砷化镓MHEMT等。根据性能，适合用于该LNA在W带工作。这种设计的要求，在GaAs MHEMT微波电路仿真软件ADS用于技术用于实现低噪声和放大的设计和模拟所述LNA。为了减少影响所致. 在高频率。其次，一个场效应管，其截止频率低于工作频率，需要将非线性放大器更大的2-3倍，m3so对于该LNA工作在110GHz时??，FET应该具有m3indep（M3）= 51GaCircle = 0.534 / 134.394m2gain = 6.101476220GHz -330GHz截止频率。 circleDataGaCircleimpedance =