光电子材料与器件第一章.ppt

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光电子材料与器件第一章

第一章 硅和锗的化学制备;1-1 硅和锗的化学制备;硅物理性质;硅物理性质;晶体、非金体和多晶;单晶体与多晶;硅结构;锗物理性质;锗物理性质;硅与锗化学性质;硅与锗化学性质;1-2 高纯硅的制备;1-2-1 三氯氢硅还原法;1-2-1 三氯氢硅还原法; 由于反应过程中有副反应的产生,所以制备过程中应尽量减小副产物的产生。 主要方法: (1)反应温度280 oC ~ 300 oC; (2)加入H2,与HCl的比为H2:HCl = 1:3~5; (3)充分干燥Si 粉和HCl, Si 粉粒度 0.18~0.12 mm; (4)加入Cu、Ag、Mg合金作为催化剂。;1-2-2 三氯氢硅的提纯;MSE 120 - 1999;缓冲器;干燥器;螺旋加料器;旋风过滤除尘器;列管冷凝器;废气淋洗塔;MSE 120 - 1999;1-2-2 三氯氢硅的提纯;(4)精馏法;MSE 120 - 1999;1-2 三氯氢硅的提纯;1-2-2 硅烷法;1-2-2 硅烷法; 2、硅烷的提纯: 硅烷的提纯方法(1)低温精馏;(2)吸附法。 (1)低温精馏:由于沸点很低必须有深冷设备,费用很高 (2)吸附法 1) 先用分子筛除去较多量的NH3、H2O及一部分的PH3等;2) 用常温低温两级活性炭除去B2H6、AsH3等 3) 热分解提纯;MSE 120 - 1999; 3、硅烷热分解: SiH4 = Si2 + H2 SiH2 = Si +H2 Si2 + H2 = SiH4

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