LTPS工艺流程--赵浩然1.pptVIP

厦门天马知识管理系统文件 单击此处添加标题 LTPS-IPS Process Flow 知识管理体系文件 Tianma Internal Use Only Confidential 知识管理体系文件 版本号 Rev1.0 2012-6-25 PI-ZHR-AD-02 PI 赵浩然 文件号 报告 可读部门 校对者 制作者 报告核心关键字索引 发生部门关键字 - XM PI 影响范围关键字 - PI 问题关键字 - LTPS 工艺流程 XM PI LTPS工艺流程简介 LS 3Layer ND GI M1 PD ILD CHD PLN ITO1 passivation ITO2 M2 LTPS-IPS LS-遮光层 Process 结构 设备 作用 参数 Pre-depo clean PDC 去除Particle LS depo Mo PVD LS成膜 LS PHT PHT LS DE DET 遮挡沟道处背光，减少光生载流子，Ioff,高PPI Stripper STR Pre-depo clean LS DEPO LS DE Stripper LS PHT 3Layer-有源层和多晶硅层 PECVD缓冲层+有源层 去氢 清洗 Process 结构 设备 作用 参数 Clean PDC 去除Particle 普通水洗 3layer SiNx CVD 阻挡来自玻璃中杂质离子-缓冲层 500A 420~440℃ N2 NH3 SiH4 SiO CVD 缓冲层 1350A 420~440℃ N2O SiH4 a-Si CVD 有源层 450A 420~440℃ H2 Ar SiH4 去氢 CVD 防止a-Si层中过多H，导致在后工序产生氢爆 500℃ 20min Pre-ELA clean PDC 去除Particle，在a-Si表面形成SiO，有利于ELA HF，O3清洗 ELA ELA a-Si激光晶化Poly-Si（Poly） 顺着长边方向Scan 一次 Poly PHT PHT 形成硅岛，防止后续玻璃收缩影响，预放大 Stripper STR 去除光刻胶PR Poly DE DET ICP模式 Pre-ELA clean 激光晶化 Poly层PHT Poly层干刻 Stripper PHT后 STR后 CHD-沟道掺杂 CHD PHT CHD Doping Stripper Process 结构 设备 作用 参数 CHD PHT PHT 遮挡PTFT沟道 CHD Doping IMP 对NTFT沟道进行离子注入，形成P型半导体 B_5~8kev_1.5~2E12 BF3 Stripper STR 去除光刻胶 ND PHT N doping Stripper PR ashing ND-N型掺杂 Process 设备 作用 参数 ND PHT PHT 遮挡PTFT全部及NTFT沟道部分 ND Doping IMP 对NTFTS/D两极进行离子注入，形成N型半导体 P_15kev_4E14 PH3 PR ashing DET 去除因IMP而硬化的PR，Part ashing 40% Stripper STR GI M1-栅绝缘层 Gate层 Pre GI clean GI DEPO M1 DEPO M1 PHT M1 DE Stripper Pre M1 clean LDD Process 结构 设备 作用 参数 Pre-GI clean PDC 除去Poly表面氧化层 平坦Poly表面突起 O3 HF GI Depo SiNx CVD 高介电常数 600A 420~440℃ N2 NH3 SiH4 SiO CVD 与Poly-Si应力匹配好 800A 420~440℃ Ar N2O SiH4 Pre-M1 clean PDC 清洗 O3 超声水洗 M1 Depo Mo PVD Gate层 Mo 2200A M1 PHT PHT Gate图形，Common Cst，Panel ID M1 DE DET Gate 干刻，同时刻蚀掉整面SiNx Stripper STR PR去除 LDD IMP 轻掺杂，减少漏电流，高PPI P_60kev_2E13 PH3 PD-P型掺杂 PD PHT PD doping Stripper PR ashing Process 结构 设备 作用 参数 PD PHT PHT 遮挡NTFT全部及PTFT沟道部分 需要HMDS处理 PD Doping IMP 对PTFT S/D两极进行离子注入，形成P型半导体 B_25kev_1E15 BH3 PR ashing DET 去除因IMP而硬化的PR，Full ashing Stripper STR ILD-间绝缘层 Proc