功率MOSFET的驱动电路和保护技术概论.pptVIP

第五章 功率MOSFET的驱动电路和保护技术 ;5.1 功率DMOS输入电容;5.1 功率DMOS输入电容 ;5.1 功率DMOS输入电容;5.1 功率DMOS输入电容;5.1 功率DMOS输入电容;因Cdep随Xd增加而降低； 随着栅源电压的增加，Cdep降低。这种下降趋势从理论上说要持续到栅压高到使硅表面空穴反型。;5.1 功率DMOS输入电容;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 栅电荷因子;5.2 MOSFET与双极功率晶体管的比较 ——开关应用;开始时IL=0，开关处于关断状态，一旦电路中的功率元件接通，负载中的电流就以Vs/L的速率增加，其中Vs为电源电压；L为负载电感。 在关断的过程中，负载的感性特征总是抵抗电流变化，迫使电路经过一个很短的瞬态过程，直到输出电压达到Vs+0.7V，而在电压上升过程中，电流以晶体管典型关断转换时间衰减。;作为一级近似，假定电压上升过程中负载电流的衰减可以忽略，当功率开关再次接通的时候负载电流以相同的水平在流动。 在整个暂态过程，加在开关上的电压被钳位在Vs＋0.7V，直到开关器件能够控制所有的负载电流。只有到这时，二极管关断，使输出电压开始下降。;整个过程中，电压、电流波形及功耗如右图。 容易计算出开关功耗为： ;;5.2 MOSFET与双极功率晶体管的比较 ——开关应用;5.2 MOSFET与双极功率晶体管的比较 ——开关应用;5.2 MOSFET与双极功率晶体管的比较 ——开关应用;5.3 MOSFET功率级（power stage）和相应的驱动电路;5.3 驱动功率MOSFET的低端驱动器 ;5.3 驱动功率MOSFET的低端驱动器;5.3.3 驱动功率MOSFET的高端驱动器;高端驱动（A）：自举技术 ;高端驱动（A）：自举技术;高端驱动（A）：自举技术;高端驱动（A）：自举技术;高端驱动（A）：自举技术;Buck转换器：降压调节器 ;高端驱动（A）：自举技术;高端驱动（B）：电荷泵;高端驱动（B）：电荷泵;高端驱动（B）：电荷泵;高端驱动（B）：电荷泵;高端驱动（B）：电荷泵;高端驱动（B）：电荷泵;高端驱动（B）：电荷泵;高端驱动（C）：复合自举和电荷泵技术 ;5.4功率MOSFET的耐度;5.4.1 正偏安全工作区;5.4.1 正偏安全工作区;5.4.1 正偏安全工作区;5.4.1 正偏安全工作区;5.4.1 正偏安全工作区;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.4.2 静态dv/dt失效;5.5 过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.1 线性AC和DC放大器的过流保护;5.5.2 开关放大器中的过流保护;5.5.2 开关放大器中的过流保护;5.5.2 开关放大器中的过流保护;5.6 过温保护 ;5.6.1 采用滞后效应的过温保护;5.6.1 采用滞后效应的过温保护;5.6.1 采用滞后效应的过温保护