微电子与集成电路设计3研讨.ppt

具体步骤如下： 1．生长二氧化硅： ;1、淀积氮化硅 2、光刻有源区 3、场区氧化 4、去除有源区氮化硅及二氧化硅 5、生长栅氧 6、淀积多晶硅 ;光刻用掩膜3：多晶硅;1、P+区光刻 2、离子注入硼+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶 ;1、N+区光刻 2、离子注入磷+ 3、去胶;光刻用掩膜6：接触孔;1、淀积铝 2、光刻铝 ;光刻用掩膜8：钝化孔;各个器件在电学上相互隔离 用接触孔和互连材料将各个独立的器件连接起来 接触和互连的基本工艺步骤为： 1）为减小接触电阻，在需要互连的区域先进行高浓度掺杂 2）淀积一层绝缘介质层 3）通过光刻在该介质层上制作出接触窗口，称为欧姆接触孔； 4）淀积互连材料膜（比如Al、Cu） 5）光刻出互连线的图形;中测打点 后部封装 （在另外厂房） （1）背面减薄 （2）切片 （3）粘片 （4）压焊：金丝球焊 （5）切筋 （6）整形 （7）封装 （8）沾锡：保证管脚的电学接触 （9）老化 （10）成测 （11）打印、包装 ;什么是版图 MOS器件的版图实现 版图的设计规则;根据逻辑与电路功能和性能要求以及工艺水平要求，设计光刻用的掩膜版图，实现IC设计的最终输出。 版图是一组相互套合的图形，各层版图对应不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。 ; 那些花花绿绿的是？ –阱 –P+、N+注入区 –有源区 –多晶硅 –金属连线 –过孔 –……;POLY;版图是电路图的反映，有两大组成部分： 器件 ?MOS管 ?电阻 ?电容 ?电感 ?二极管 ?三极管 互连 ?金属（第一层金属，第二层金属……） ?通孔 版图，就是按照规则画好器件，合适地摆放好器件，再用金属线适当地连接。;1: P 阱 2: 有源区 3：硅栅 4: P +注入 5: N +注入 6：引线孔 7: 铝引线 8: 钝化孔 ;版图：制造集成电路时所用的掩模上的几何图形。;版图设计就是根据电子电路性能的要求和制造工艺的水平，按照一定的规则，设计出元件的图形并进行排列、互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为版图或工艺复合图。 版图设计是制造IC的基本条件，版图设计是否合理对成品率、电路性能、可靠性影响很大，版图设计错了，就一个电路也做不出来。若设计不合理，则电路性能和成品率将受到很大影响。版图设计必须与线路设计、工艺设计、工艺水平适应。版图设计者必须熟悉工艺条件、器件物理、电路原理以及测试方法。; 作为一位版图设计者，首先要熟悉工艺条件和器件物理，才能确定晶体管的具体尺寸，铝连线的宽度、间距、各次掩膜套刻精度等。其次要对电路的工作原理有一定的了解，这样才能在版图设计中注意避免某些分布参量和寄生效应对电路产生的影响。同时还要熟悉调试方法，通过对样品性能的测试和显微镜观察，可分析出工艺中的问题。也可通过工艺中的问题发现电路设计和版图设计不合理之处，帮助改版工作的进行。特别是测试中发现某一参数的不合格，这往往与版图设计有关。 ;有源区：包含源、栅、漏 栅极：多晶硅 P+或N+掺杂：在有源区内 NMOS和PMOS至少有一种管子要做在阱内 接触孔：源、栅、漏和金属导线连接处 衬底必须接合适的电位。;1. 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 ; 1. 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注入区的关系：有源区即无场氧化层，在这区域中可做N型和P型各种晶体管，此区一次形成。 3. 至于以后何处是NMOS晶体管，何处是PMOS晶体管，要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和P+注入区交集处即形成P+有源区， P+注入区比所交有源区要大些。;5. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和N+注入区交集处即形成N+有源区， N+注入区比所交有源区要大些。 6. 两层半布线 金属，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是导体，可做短连线（方块电阻大）。三层布线之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因为相交处形成了晶体管