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半导体术语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) V; n/ D3 _* p. G/ R$ P0 L2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 2 M6 v% o# I/ y# I* N, L 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 : F( @! I* n/ w ] T$ P??E 4. Acid：酸 . g* y??h# O4 I1 t, H, ^ 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） C) z+ B* x+ ~. _ ]/ N 6. Align mark(key)：对位标记 , S4 D. p4 M L; c8 z5 _7. Alloy：合金 7 @5 C% m4 O d7 [7 g z4 a 8. Aluminum：铝 b. ~+ ^+ c, g8 a 9. Ammonia：氨水 0 s6 Z/ s* Z, ?0 Z4 {6 K- ^10. Ammonium fluoride：NH4F E3 _; E+ ]??F O 11. Ammonium hydroxide：NH4OH # h# v4 v- s. y* Y# M 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） k2 x/ U0 ~??y3 ^; m3 [- r( t13. Analog：模拟的 * A5 K* ?# p Z. l; V U14. Angstrom：A（1E-10m）埃 % ?- n6 p: E0 _% T* F5 Q 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） - C* R# z6 ?5 I2 \+ X( T16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 0 j y* V5 _* Y0 x 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 6 W. Y* V( y7 P ~??@. Z6 m# U 18. Antimony(Sb)锑 N) y6 E O3 g. M 19. Argon(Ar)氩 - k5 @* ~??o q @20. Arsenic(As)砷 ! e$ u$ L- C9 }??n21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 ) x M1 n! E1 L0 } c, V5 j22. Arsine(AsH3) : ^( `5 }, ? j7 @# k 23. Asher：去胶机 5 s7 F2 k, i8 c h0 {24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） / @ X% u9 Z0 K7 n, k% U25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 4 d4 P5 ?* W7 h u 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） ( {, c k o C2 c 27. Baseline：标准流程 6 e% H8 Z% p) u28. Benchmark：基准 - q) O( {. w f. O 29. Bipolar：双极 ! I/ D7 b z- \. S% Q1 M30. Boat：扩散用（石英）舟 X. m2 s; ?$ D( S+ @, [31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 5 F b: \5 W$ R 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 7 V7 d5 m4 U* f 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 ! u, I+ b! q??d6 j ^34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 ??F/ j8 q ^9 L N 35. Chip：碎片或芯片。 8 R/ t+ B- t$ M??F ]36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 % I4 V0 H. G9 j( W a: | 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现
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