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多晶硅与单晶的扩散比较
多晶电池与单晶电池的比较 多晶硅硅片用纯度相对较低的原材料，且有更大的装填量多晶硅太阳电池是标准正方形，在组件封装有更高的占空比制备多晶硅锭的耗能少，生产效率高相同时间内可冷凝更多的多晶硅晶锭多晶硅和单晶硅太阳电池内在品质在同一环境下的使用寿命相同单晶硅太阳电池较多晶易实现薄片制备。 多晶硅的 多晶硅片由很多晶向不同、形状不规则的单晶晶粒组成，不同晶向的晶粒间存在晶界。 多晶硅一晶粒内部原子排列呈周期性和有序性；晶粒间结构复杂，硅原子无序排列，可能存在深能级缺陷的杂质。 晶界是一个强大的复合中心。第一，晶界附近的载流子由于被耗尽而形成一定宽度的耗尽层和势垒，阻碍载流子的传输，增大串联电阻；，晶界的复合增加暗电流，对填充因子、开路电压和短路电流不利。漏电电流降低并联电阻。增大多晶硅晶粒尺寸可以减少晶界的量提高性能。 扩散气体流量相同，扩散时间相同多晶硅片； 单晶硅和多晶硅扩散多晶硅。 多晶硅与单晶硅扩散工艺的比较 祝飞
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