模电课件第一剖析.pptVIP

电阻率 电阻率较低的物质被称为导体----金属银、铜、铝等。当存在外电场时，金属的自由电子在运动中不断和晶格节点上做热振子的正离子相碰撞，使电子运动受到阻碍，因而就具有了一定的电阻。 电阻率较高的物质称为绝缘体----玻璃、橡胶等。 介于导体和绝缘体之间的物质称半导体----如硅、锗。 电阻率ρ=RS/L ，电阻率 ρ单位为欧姆·米 练习 P71 ： ? ? 1.10 电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析ui为0V、 1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：（1）当uI＝0时，T截止， （2）当uI＝1V时，因为 所以T处于放大状态。 （3）当uI＝3V时，因为 所以T处于饱和状态→ uO＝0.3V。 uO＝12V。 （b） 由特性曲线可知 uGS(th)=4V [例1.4.2] 电路如图(a)所示，其中管子的输出特性曲线如图(b)所 示。试分析uI为0、8V和10V三种情况下u0分别为多少伏? （a） 解：uI=0时， uGS= uI=0＜ uGS(th)， T截止→iD=0 u0= uDS=VDD- iD RD=15V uI=8时，设工作在恒流区， iD≈1mA 预夹断点的uDS=UGS- UGS(th) =4V， u0= uDS=VDD- iD RD=10V 所以假设成立， u0=10V uI=10时，设工作在恒流区， iD≈2.2mA u0= uDS=VDD- iD RD=4V 预夹断点的 uDS=UGS- UGS(th) =6V， 所以假设不成立， 工作在可变电阻区 [例1.4.3]电路如图所示，场效应管的夹断电压UGS(off）=-4V，饱和 漏极电流IDSS=4mA。试问：为保证负载电阻RL上的电流为恒流，RL 的取值范围应为多少? 解： uGS=0, iD=IDSS , 预夹断点的 uDS=UGS- UGS(off) =4V， 由电路当 uDS=VDD- iDRL ≥4V，管子工作在恒流区 所以 iDRL≤ VDD- 4=8V RL ≤ 0≤ RL ≤2KΩ （晶体管一旦制成，从e区发射的电子到达c区的比例也就定了，此比例 3.晶体管的共射电流放大系数 共射直流电流放大系数 反向饱和电流 一般： ICEO =(1+β)ICBO 穿透电流 称为电流放大系数。） 反映IB对IC的控制作用 4.晶体管的电流放大作用 图1.3.4 基本共射放大电路 → ← 当 △uI=0时 IC IB 当 △uI≠0时 → → +△iB +△iC （一般为几十 ~ 几百） 共射交流电流放大系数 共基电流放大系数 输入回路 输出回路 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 BJT各电极电压与电流之间的关系曲线，称为伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 │ 图1.3.5 晶体管的输入特性曲线 ① uCE=0时， ② uCE ↑＞0，特性曲线右移。 uBE一定，随着uCE↑→集电区收集载流子的能力增强→iB↓ 它是BJT内部载流子运动的外部表现。 三极管相当于两个并联的二极管； 2. 输出特性曲线 │ 图1.3.6 晶体管的输出特性曲线 （1）截止区： IB=0, iC≤ICEO→无放大作用； （发射结反偏，集电结反偏） （2）放大区： 曲线平坦部分 （发射结正偏，集电结反偏） （3）饱和区： 各特性曲线拐点连线左侧部分 （发射结正偏，集电结正偏） uCE较小， 工程上： uBE =uCE →临界饱和 uBE ＞uCE →过饱和 UCES=0.3V iC基本不随IB变化, 而随uCE↑ →饱和 增加的现象 1.3.4 晶体管主要参数 1.电流放大系数 2) 共发射极交流电流放大系数β 1) 共发射极直流电流放大系数 这是指静态(无输入信号)时的电流放大系数，其定义为 这是指动态(有输入信号)时的电流放大系数，其定义为 UCE=常量 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC / mA 1 2 3 4 UCE /V 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 一般： 2.极间反向电流 1) c、b极间反向饱和电流ICBO 指e极开路，c、b间加上一定的反向电压时的反向电流 (如同PN结的反向电流)。其测试电路如图(a)所示。 2) c、e极间反向穿透电流ICEO 指b极开路，c、e间加上一定的反向电压时的c极电流。 T一定时，ICBO为一常数 ICEO=(1+β)ICBO ICBO 、ICEO越小，管子质量越好 其测试电路如图(b)所示。 ?A + – EC ?A ICEO IB=0 + – ICBO