一步一步精通单端反激式开关电源设计解说.docxVIP

质量第一，客户至上；诚信敬业，求实创新；团队合作，平等友爱 一步一步精通单端反激式开关电源设计 TOC \o 1-3 \h \z \u  目录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc404081773 ■系统应用需求  PAGEREF _Toc404081773 \h 3  HYPERLINK \l _Toc404081774 ■步骤1_确定应用需求  PAGEREF _Toc404081774 \h 3  HYPERLINK \l _Toc404081775 ■步骤2_根据应用需求选择反馈电路和偏置电压VB  PAGEREF _Toc404081775 \h 4  HYPERLINK \l _Toc404081776 ■步骤3_确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX，并基于输入电压和PO选择输入存储电容CIN的容量  PAGEREF _Toc404081776 \h 6  HYPERLINK \l _Toc404081777 3.1、选择输入存储电容CIN的容量  PAGEREF _Toc404081777 \h 6  HYPERLINK \l _Toc404081778 3.2、确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX  PAGEREF _Toc404081778 \h 9  HYPERLINK \l _Toc404081779 ■步骤4_输入整流桥的选择  PAGEREF _Toc404081779 \h 9  HYPERLINK \l _Toc404081780 ■步骤5_确定发射的输出电压VOR以及钳位稳压管电压VCLO  PAGEREF _Toc404081780 \h 10  HYPERLINK \l _Toc404081781 ■步骤6_对应相应的工作模式及电流波形设定电流波形参数KP：当KP≤1时，KP=KRP;当KP≥1时，KP=KDP  PAGEREF _Toc404081781 \h 14  HYPERLINK \l _Toc404081782 ■步骤7_根据VMIN和VOR确定DMAX  PAGEREF _Toc404081782 \h 16  HYPERLINK \l _Toc404081783 ■步骤8_计算初级峰值电流IP、输入平均电流IAVG和初级RMS电流IRMS  PAGEREF _Toc404081783 \h 16  HYPERLINK \l _Toc404081784 ■步骤9_基于AC输入电压，VO、PO以及效率选定MOS管芯片  PAGEREF _Toc404081784 \h 17  HYPERLINK \l _Toc404081785 ■步骤10_设定外部限流点降低的ILIMIT降低因数KI  PAGEREF _Toc404081785 \h 17  HYPERLINK \l _Toc404081786 ■步骤11_通过IP和ILIMIT的比较验证MOS芯片选择的正确性  PAGEREF _Toc404081786 \h 18  HYPERLINK \l _Toc404081787 ■步骤12_计算功率开关管热阻选择散热片验证MOS芯片选择的正确性  PAGEREF _Toc404081787 \h 18  HYPERLINK \l _Toc404081788 ■步骤13_计算初级电感量LP  PAGEREF _Toc404081788 \h 18  HYPERLINK \l _Toc404081789 ■步骤14_选择磁芯和骨架，再从磁芯和骨架的数据手册中得到Ae，le，AL，和BW的参考值  PAGEREF _Toc404081789 \h 19  HYPERLINK \l _Toc404081790 ■步骤15_设定初级绕组的层数L以及次级绕组圈数NS（可能需要经过迭代的过程）  PAGEREF _Toc404081790 \h 25  HYPERLINK \l _Toc404081791 ■步骤16_计算次级绕组圈数NS以及偏置绕组圈数NB  PAGEREF _Toc404081791 \h 26  HYPERLINK \l _Toc404081792 ■步骤17_确定初级绕组线径参数OD、DIA、AWG  PAGEREF _Toc404081792 \h 26  HYPERLINK \l _Toc404081793 ■步骤18_步骤23-检查BM、CMA以及Lg。如果有