集成电路制造工艺教案_new资料.docVIP

四川信息职业技术学院 教 案 课程编码： 0231 课程名称： 课程性质： 必修课 总学时/学分： 64/4 授课专业： 技术 授课教师： 使用学期： 20—2013 学年第学期 教研室审批意见及时间： 课程基本信息 名称、批准单位及时间 专业级《》； 考核方式：形成性考核+终结性考核（卷）。电子工程系2011年8月采用教材名称、作者、出版社及版本 《》，，出版社，20.1 教学参考资料 《》，，2006.6 《》，2006.6 教法、学法建议 教法：讲授法、引导法、等学法：。 班级 名称 班 编号 本学期 总学时 其 中 讲授时数 实训或实验课时数 习题(讨论) 课时数 机动学时 1 64 56 8 0 备注 课程授课学时安排表 编号 班号/周次 单元或项目名称 计划 学时 备注 1 2 1 1 绪论Ⅰ 2 理论课 2 1 绪论Ⅱ 2 理论课 3 1 硅晶圆片制造技术—硅及材料；单晶硅材料； 2 理论课 4 2 硅晶圆片制造技术—晶圆加工成形 2 理论课 5 2 硅外延生长 2 理论课 6 2 物质形态及材料属性工艺用化学品 2 理论课 7 3 玷污的类型及玷污与控制 2 理论课 8 3 硅片湿法清洗 2 理论课 9 3 集成电路测量学及质量测量 2 理论课 10 4 硅片的质量分析设备 2 理论课 11 4 集成电路芯片制造工艺概述Ⅰ 2 理论课 12 4 集成电路芯片制造工艺概述 Ⅱ 2 理论课 13 5 氧化技术—Si02及掩蔽作用； 2 理论课 14 5 氧化技术—热氧化及热氧化生长动力学； 2 理论课 15 5 氧化技术——氧化速率及杂质再分布 2 理论课 16 6 扩散机构及杂质浓度分布； 2 理论课 17 6 常用杂质的扩散方法 2 理论课 18 6 扩散层参数测量和质量分析 2 习题课 19 7 半期考试 理论课 20 7 光刻技术—光刻工艺要求及光刻胶 2 理论课 21 7 光刻技术—光刻工艺Ⅰ 2 理论课 22 12 光刻技术—光刻工艺Ⅱ及质量分析 2 理论课 23 12 刻蚀—湿法刻蚀 2 理论课 24 12 刻蚀—干法刻蚀 2 理论课 25 13 刻蚀—砷化镓刻蚀 2 理论课 26 13 离子注入—工艺特点及原理 2 理论课 27 13 离子注入—注入设备 2 理论课 28 14 离子注入—注入工艺 2 理论课 29 14 CVD—化学过程及薄膜分类及生长动力学； 2 理论课 30 14 CVD淀积系统 2 理论课 31 15 金属化 2 理论课 32 15 表面钝化—概述及SI-SI02系统 2 理论课 33 15 表面钝化—钝化方法及、钝化膜结构。 2 理论课 34 16 电学隔离技术Ⅰ 2 理论课 35 16 电学隔离技术Ⅱ 2 理论课 36 16 典型双极性集成电路工艺 2 理论课 37 17 CMOS集成电路工艺 2 理论课 38 17 空的获得与设备 2 理论课 39 17 复习 2 40 20 复习 2 2 2 2 2 NO：1 课 题 课 型 理论课 教学时数 2 教学目的 ；、教学重点 教学难点 采用教法 讲授法，引导法、法 学法建议 自学法、笔记法、讨论法 教 学 过 程 设 计 （复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等） 、（分钟） 、本课基本信息介绍（分钟） （1）本课的性质与任务； （2）本课的教学安排； （3）本课的学习资源与方法（4）要求及注意事项课程纪律要求，考核情况（作业、平时成绩、半期考试、期末考试），辅导答疑等。 、（分钟） （1）（2）（3）、（分钟） 备 注 思考与 练习 教学后记 课 题 课 型 理论课 教学时数 2 教学目的 ；