硒化法制备Cu2ZnSnSe4薄膜及其光学性质研究 毕业论文.docVIP

本科生毕业论文（设计） 硒化法制备Cu2ZnSnSe4薄膜及其光学性质研究 二级学院 ： 物理科学与技术学院 专 业 ： 物理学 年 级 ： 2006级 学 号 ： 2006294222 作者姓名 ： 指导教师 ： 完成日期 ： 2010年5月20日 目 录 摘 要 1 关键词 1 1 引言 1 1.1 Cu2ZnSnSe4薄膜的研究现状和应用前景…………………………..…..….……2 1.2 研究内容及目的………………………………………………………........…...2 2 Cu2ZnSnSe4薄膜表征方法……………………………………………….…………...3 2.1 X-射线衍射(XRD)…………………………………………………….……......3 2.2 扫描电子显微镜（SEM）…………………………………………….…….....3 2.3 紫外 – 可见光（UV-VIS）透射谱分析…………………………….…….….4 3　实验过程…………………………………………………………………….…………4 3.1实验仪器……………………………………………………………….…..…...…4 3.2实验原理……………………………………………………………….…….……6 3.2.1真空蒸发沉积的物理原理…………………………………….....…….….6 3.2.2真空蒸发技术…………………………………………………..……….....7 3.3 实验过程………………………………………………..………………..……... .8 3.3.1具体实施方式……………………………………………………..……….8 3.3.2前驱体硒化…………………………………..…………………...….....….9 3.4 性能测试及微观表征…………………………………...………………….….....9 4 实验结果与分析……………………………………………..………….……….….…9 4.1 扫描电子显微镜（SEM）分析…………………………………….……..……..9 4.2 X射线衍射（XRD）分析……………………………………….……….……..10 4.3 Cu2ZnSnSe4薄膜光学性质…………………………………….………..…...….11 4.3.1 紫外 – 可见光（UV-VIS）透射谱分析……………...….………..…...11 4.3.2 Cu2ZnSnSe4薄膜…………………………………….…..11 5 结 论 ……12 参考文献 …..13 硒化法制备Cu2ZnSnSe4薄膜及其光学性质研究 摘 要：利用真空蒸镀膜法在钠钙玻璃上混合蒸镀铜锌锡金属前驱体，在氩气保护下，在5500C对前驱体进行硒化，制备出具有类黝锡矿结构的多晶铜锌锡硒薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）SEM研究结果显示，成膜温度为450时，薄膜比较均匀，致密性好。紫外–可见光（UV-VIS）透射谱分析显示Preparation and characterization of Cu2ZnSnSe4 thin films by Selenylation of simultaneously evaporated metal precursors Lu Li Instruct teacher: doctor Zhang Jun Physics Science Technology School Zhanjiang Normal University, Zhanjiang, Guangdong , China. 524048 Abstract : Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) thin films were prepared by Selenylation of simultaneously evaporated Cu/Zn/Sn metal precursors on soda lime glass (SLG) substrates. The structural properties of the prepared samples were revealed by Raman in combination of XRD spectroscopy. The composition and morphology were also investigated with SEM observation and EDS measurements. By optimizing the condi