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?NAND FLASH原理与实验?2012-10-17 12:32:02 分类： 原文地址：NAND FLASH原理与实验?作者：wangh0802 ?? 常用的FLASH主要有NOR FLASH和NAND FLASH两种： ????NAND FLASH不能执行代码，主要用于存储大量数据；具有极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和檫除速度也很快；应用困难在于FLASH的管理需要特殊的系统接口。 ????NOR FLASH中的数据掉电不会丢失，而且可以执行程序，常用于存储系统的启动代码；特点是芯片内执行（XIP）,应用程序可以直接在NOR FLASH内运行，不需要再把代码读到系统RAM中。很低的写入和檫除速度大大影响了它的性能。 ????为什么NAND FLASH无法执行程序呢？这主要是由于NAND FLASH的接口主要包括几个I/O口，对其中数据的访问是穿行的访问，无法实现随机访问，因此NAND FLASH无法执行程序。 ????因为NAND FLASH接口电路是通过NAND FLASH控制器与S3C2440处理器相接的，因为读者不需要关心具体的访问时序，之所以提供NAND FLASH控制器就是为了便于使用NAND FLASH。如果没有NAND FLASH控制器，则需要产生相应的访问时序。 ??? NAND FLASH的存储器组成主要有两部分：页（Page）、块(BIock)。以K9F2G08U0B为例： ??? 每页大小为：2K 64字节，2K字节用来存储数据，64字节主要用来存储控制信息，主要是为了便于管理每一页。 ????每块大小为：64个页；整个NAND FLASH由2K（2048）个块组成（128KPages）。 ??? 从数据输出可以看到K9F2G08U0B的容量是256MBytes*8Bit,怎么算出来的呢？ ??? NAND FLASH容量=块的数目*每块的容量 ????????????????? =块的数目*（每块包含页的数目*每页的容量） ????????????????? =2K块*（64页*（2KBytes 64Bytes）） ????????????????? =2K块*64页*2KBytes 2K块*64页*64Bytes ????????????????? =256MBytes 8MBytes（256MBytes表示该NAND FLASH可以存储256M个字节数据，后面的8M字节的数据主要用于保存每一页的控制信息） ?? 1K(Bytes)=1024字节，1M(Bytes)=1K(Bytes)*1K(Bytes)； NAND FLASH接口电路： ??? S3C2440处理器内部已经集成了NAND FLASH控制器，因此，接口电路将变得很简单，只需要将S3C2440处理器对应引脚和NAND FLASH的对应引脚接上即可。 ??? 但是不同的NAND FLASH的容量不一样，接口线宽不一样，S3C2440处理器如何获得这些信息呢？先对NAND FLASH控制器的作用进行简单的总结： ??? 1.提供外接NAND FLASH的接口信息，包括接口线宽、容量等信息。 ??? 2.提供访问NAND FLASH所需要的时序信息。 ??? S3C2440处理器提供了如下方法来识别NAND FLASH接口线宽和容量，OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14和GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 ??? OM[1:0]：当两个引脚均为低电平是，从NAND FLASH启动。 ??? NCON：NAND FLASH的类型选择信号。0、正常型NAND FLASH;1、高级型NAND FLASH； ??? GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。0、256Word(NCON=0)或1KWords(NCON=1); ???????????????????????????????????? 1、512Bytes(NCON=0)或2KBytes(NCON=1); ??? GPG14:NAND FLASH地址周期选择。0、3地址周期(NCON=0)或4地址周期(NCON=1)。 ????????????????????????????????? 1、4地址周期(NCON=0)或5地址周期(NCON=1)。 ??? GPG15：NAND FLASH接口线宽选择。0、8位总线宽度。1、16位总线宽度。 如何访问NAND FLASH？ ?? 发送命令，即对NAND FLASH采取哪种操作，读，写还是擦除； ?? 发送地址，即对NAND FLASH的哪一页进行上述操作； ?? 发送数据，在此期间要检测NAND FLASH的内部状态。 NAND FLASH内部的地址如何确定呢？从对应数据手册上可以找到