第1章衬底详解.pptVIP

掺杂了受主杂质的硅成为P型，常见的是掺硼的硅。掺杂了施主杂质的硅称为N型，常见的是掺磷的硅。对于太阳能电池来说，P?型硅比较常见，因为前面所说的，硼的分凝系数是0.8，?在单晶中，硼比较容易掺杂均匀的缘故。 附录 中国多晶硅公司 多晶硅生产 主要在 四川、江苏、河南等 现在好像就甘肃和西藏没有 四川新光、乐电天威、天威四川 江苏中能 顺大 河南中硅 内蒙神舟硅业、国电、锋威 宁夏阳光 赛维 宜昌南玻 陕西天宏 大的上市公司 无锡尚德，江苏中能，江西塞维LDK，四川大全，河北天威英利 专业词汇 Merge 融合 Self-testing 自检 Digital compensation 数字补偿 Drive technology 驱动技术 Package 封装 Assembly组装 Scan tip 扫描探针 Near field microscopy 近场显微镜 Sealing technique 封焊技术 Impurity-based etch-stop 基于掺杂的腐蚀停止技术 * 专业词汇 Resonant sensor 谐振传感器 Microactuators 微致动器，微执行器 Signal-to-Noise 信噪比 Flowmeter 流量计 Accelerometer 加速度计 Positioning system 定位系统 Hierarchical system 分级系统 Mess spectrometer 质谱仪 Autocalibration 自标定 Anodic silicon-glass bonding 硅-玻璃阳极键合 * 专业词汇 Silicon-silicon fusion 硅-硅熔合 Neural recording probe 神经记录探针 Neural prosthese 神经修复 Boron-diffused 掺杂硼的 Lead 引线 Feedthrough 通孔 CMOS：互补型金属氧化物半导体 (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) Silicon capative pressure sensor 硅电容压力传感器 Bus 总线 * * * * 射频微波点电子设备应用广泛,卫星、导弹、无人机RF,300m-300G * CZ拉单晶炉 zhijing, 籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的种子，也叫晶种。用不同晶向的籽晶做晶种，会获得不同晶向的单晶。 CZ法主要工艺工程: 籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟， 俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。 引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶”，。“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm。 放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特 征—棱的出现可帮助我们判别，111方向应有对称三条棱，100方向有对称的四条棱。 等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变， 就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。 收尾：随着晶体生长结束，采用稍升温，降拉速，使晶体直径逐渐变小，此过程称为收尾。 CZ拉单晶炉 影响直拉法的两个主要参数是拉伸速率和晶体旋转速率。 区熔法（Floating Zone method）特点： 硅片含氧量低、纯度高。 主要用于高功率IC。 制备成本比CZ法高。 难生长大直径硅晶棒。 低阻值硅晶棒、掺杂均匀度较差。 CZ法与FZ法比较 CZ法： 成本低、可做大尺寸晶锭、材料可重复使用 更受欢迎 FZ法： 纯度高、成本高、小尺寸晶锭 主要用在功率器件 硅是硬而脆的材料，晶体生长后的硅锭对半导体制造来说用处很小。圆柱形的单晶硅锭（又叫单晶锭）要经过一系列的处理过程，最后形成硅片，才能达到半导体制造的严格要求。这些硅片制备步骤包括机械加工、化学处理、表面抛光和质量测量。硅片制备的基本流程如图所示。 硅片制备 ■整型处理：硅单晶锭在拉单晶炉中生长完成后，整型处理是接下来的第一步工艺。整型处理包括在切片之前对单晶硅锭做的所有准备步骤。 ■去掉两端：第