氮化硅薄膜材料的PECVD制备及其光学性质研究讲解.docVIP

目 录 1 引言-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------1 1.1氮化硅的特性-----------------------------------------------------------1 1.2氮化硅的制备方法----------------------------------------------------------------------------------------2 1.2.1常压化学气相沉积(APCVD)--------------------------------------------------------------------2 1.2.2低压化学气相沉积(LPCVD)--------------------------------------------------------------------2 1.2.3等离子体增强化学气相沉积(PECVD)------------------------------------------------------3 1.3氮化硅薄膜PECVD制备的特点-----------------------------------------------------------------------4 2 实验-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------4 2.1实验仪器的介绍-------------------------------------------------------------------------------------------4 2.2 PECVD法制备氮化硅薄膜的原理----------------------------------------5 2.3实验方法------------------------------------------------------------5 3 实验结果与讨论-------------------------------------------------------------------------------------------------5 参考文献--------------------------------------------------------------------------------------------------------------10 氮化硅薄膜材料的PECVD制备及其光学性质研究 摘要：等离子增强型化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition , PECVD)是目前较为理想和重要的氮化硅薄膜制备方法，本文详细探讨了对氮化硅薄膜PECVD制备的方法、原理以及制备过程,成功生长了质量较好的氮化硅薄膜,并用紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,得出相关的光学特性λ= 632.8nm 时折射率在1.8～2.5 2.1～2.25Marting Green教授于2001年提出了新一代电池具有全新的概念，采用清洁绿色环保的制造技术，达到电池的高效率与新技术、新概念、新材料并举。一种理论转换效率达60%以上的量子点型太阳能电池备受人们瞩目。硅量子点太阳能电池主要通过基体材料中析出纳米晶粒尺寸的硅量子点，当晶粒尺度与激子波尔半径相近时，系统形成一系列的离散量子能级，电子在其中的运动就会受到限制，从而表现出了量子尺寸效应。其中相关的尺寸效应与限制效应给电池带来了极大的优势，比如说带隙随着粒子的尺寸可调，截面大，吸收系数大，以及较长的激子寿命等。硅量子点太阳能电池的材料，主要有氧化硅、碳化硅、以及氮化硅。然而实验表明：氮化硅的带隙最适合作为基体材料。富硅氮化硅的研究也越来越引起人们瞩目。因而氮化硅的研究在光伏领域具有重要的意义。 1.2 氮化硅的制备方法 目前，用来制备氮化硅薄膜的方法主要有：常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积法(LPCVD)、等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)、射频等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD)、光化学气相淀积(光 CVD)、 射频(RF)磁控反应溅射法等。前三种，人们应用的最多，因而也是研究的主流方法。 APCVD) 常压化学气相沉积就是在常压的