国家火炬计划产业化项目可行性研究-范本教程分析.docVIP

第一章 概述 1.1项目提出背景 砷化镓（GaAs）单晶是一种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。HB工艺是研究开发最早的GaAs单晶生长工艺，也是目前生产量最大的工艺，HB-GaAs单晶年产量占全世界GaAs单晶年产量的50%（2004年全球的GaAs单晶产量约140t）。 HB-GaAs单晶生长设备及生长过程涉及到物理、化学、冶金学、自动控制、机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本、美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用的生产设备、生产工艺及晶片加工技术对外严格必威体育官网网址。 国际上HB-GaAs单晶生产以日本住友电工公司为主，其产量约占全世界产量的60%（2004年为62%），所提供的晶片以Φ2”，Φ2.5”为主。 Φ2”，Φ2.5”水平砷化镓单晶近年来大量用于红外LED和高亮度LED，是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。但是由于国内目前还没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口，造成大量资金流向国外。本项目产品的研发工作正是在这一背景下提出并开展的。 1.2技术开发状况 “水平砷化镓单晶材料产业化” 2001年被原国家计委批复为国家高技术产业化示范工程项目，并于2005年通过中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴定，鉴定结果为：该项目的技术、产品质量达到了国际先进水平。本项目产品目前关键技术已经突破，并开始批量生产，产品已成功进入国内外市场。 下一步工作中，企业计划在进一步综合优化现有工艺技术基础上，使Φ2”HB－GaAs单晶成品率由现在的75%增加到85%。EPD5×103cm－2。使Φ2.5”HB－GaAs单晶成品率由现在的55%增加到70%，EPD5×103cm－2。以进一步提高产品的性价比从而增强其竞争力。 1.3现有产业规模 本产品2005年通过鉴定后开始进行小规模生产，2005年该产品销售收入达到400万元，2006年产品销售收入达到1000万元，预计2007年销售收入可达到1800万元，净利润达到180万元。 1.4项目产品的主要用途、性能 本项目产品近年来大量用于红外LED（波长800-900nm）和高亮度（High bright-HB）LED—即AlGaInP/GaAs高亮度红、橙、黄色LED，是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。 主要技术与性能指标如下： N型（掺Si） n(cm-3)：（2～40）×1017；μn(cm2/v.s)：≥1400；晶片直径（mm）：50.0±0.5，63.0±0.5；EPD(cm-2)：≤1×104。 P型(掺Zn) p(cm-3)：（2～50）×1018；μP(cm2/v.s)：≥50（50～100）；晶片直径（mm）：50.0±0.5，63.0±0.5；EPD(cm-2)：≤1×104。 1.5投资的必要性 本项目产品近年来大量用于红外LED和高亮度LED，市场前景非常广。但是目前国内还没有一家进行该项目产品研发生产的企业，国内企业对该产品的需求主要依赖进口，而进口产品价格昂贵，造成生产成本的提高。为缓解这种局面，本公司在原有产品的基础上，组织研发人员进行了该产品研究开发工作，目前该产品技术已基本成熟，关键问题已经解决，产品于2005年9月通过了中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴定，鉴定结果为：该项目技术、产品质量均达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近10%。 随着LED在各个应用领域用量的大幅度增长，本项目产品的市场越来越广阔。为进一步满足不断增长的国内外市场对该产品的需求，本企业计划投资扩大生产规模，增加产量，提高市场占有率，实现产品产业化。 1.6预期经济效益 本项目2009年达产，达产期年销售收入3300万元，年净利润451万元，上缴利税592万元，利税率达到31.6%。 1.7本企业实施该项目的优势 技术优势：项目承担单位 前身是 ，从1958年就开始水平GaAs单晶研究，已有40多年研究开发经验，拥有一支由该领域知名专家教授及长期从事该项目研究的高工组成的研发队伍，这支队伍对该项目产品拥有绝对技术优势。该项目技术路线设计合理，关键技术已经突破，其余技术完全能够实现，项目产品目前已通过权威部门检测和鉴定，鉴定结果为国际先进。项目目前已有部分产品销售国内外，用户中包括日本住友电工公司、韩国Prowtech公司等世界知名企业和中科镓英公司等国内用户，对该产品用户一致反映良好。 营销优势：公司位于经济技术开发区，拥有生产厂房研发基地。GaAs晶片、GaP晶片的企业。 公司成立了由具有多年水平GaAs研究开发经验的专业人员组成的销售队伍，这支队伍熟悉本项目产品各项性能指标