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SUBCIRUIT THANKS BSIM3V3模型 BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）3V3模型是1995年10月31日由UC-Berkely推出的专门为短沟道MOS场效应晶体管而开发的模型。在BSIM3模型中考虑了下列效应： （1）短沟和窄沟对阈值电压的影响；（6）漏感应引起位垒下降； （2）横向和纵向的非均匀掺杂； （7）沟道长度调制效应； （3）垂直场引起的载流子迁移率下降（8）衬底电流引起的体效应， （4）体效应； （9）次开启导电问题； （5）载流子速度饱和效应； （10）漏／源寄生电阻。 BSIM3V3模型 BSIM3V3包括下列166（3.0版本为174个）个参数： 67个DC参数 13个AC和电容参数 2个NQS模型参数 10个温度参数 11个W和L参数 4个边界参数 4个工艺参数 8个噪声模型参数 47个二极管，耗尽层电容和电阻参数 8个平滑函数参数（在3.0版本中） 电路仿真与SPICE 在电路完成以后，设计者面临的问题是：设计电路是否能够实现预期的功能？电路中各元器件的参数值设置是否合理？这就是所谓验证问题。 对设计电路的验证 传统方法 搭实验装置。 随着集成度的提高，电路规模的扩大，已无法在实验装置上搭接这样的电路。 即使搭接成功的话，也与实际的集成电路差别太大，失去其物理验证的意义。 无法进行容差分析和极限条件的验证 。 对设计电路的验证 用电路模拟分析的方法在计算机上验证 借助于计算机技术和计算方法的发展 。 不需要任何实际的元器件和调试工具，可以很方便地改变各种条件进行模拟分析。 可以进行各种破坏性的模拟。 设计者可以在设计投入生产制造前就能预测电路的实际性能 。 电路模拟SPICE SPICE作为一个通用的电路模拟程序，包括输入数据、运行程序和输出数据三个基本阶段。 输入数据包括电路元件及连接的拓扑信息、电路元件性质、参数、初始条件、要分析功能及输出形式等输入到程序中； 输入的数据必须符合SPICE程序规定的格式。 SPICE输入描述语句的构成 标题语句 描述文件的第一行。 SPICE将第一行作为标题行打印而不作为电路的一部分进行分析。 这一行必须设置。 注释语句 一般形式是“*”后加字符串。 注释语句不参与电路的模拟仿真。 可以存在于输入文件除第一行和最后一行之间的任何位置。 SPICE输入描述语句的构成 电路的描述语句 描述具体电路结构和参数 电路特性分析和控制语句 分析功能，如分析频率特性，以及对输出的要求 结束语句 标志着电路描述语句的结束。 格式： “ .END”。位于描述语句文件的最后一行 。 SPICE中元器件名称的首字母 首字母 电路元器件 首字母 电路元器件 B 砷化镓场效应管 L 电感 C 电容 M MOS场效应晶体管 D 二极管 Q 双极型晶体管 E 电压控制电压源 R 电阻 F 电流控制电流源 S 电压控制开关 G 电压控制电流源 T 传输线 H 电流控制电压源 V 独立电压源 I 独立电流源 W 电流控制开关 J 结型场效应晶体管 X 子电路 K 互感（耦合系数） 元件描述语句 电阻 电阻描述语句的语句格式为： RXX N+ N- VALUE TC=TC1 ,TC2 例：R3 2 5 2.4E5TC=0.02, -0.002 电阻R3，在节点2，5之间，值是2.4×105Ω， 温度系数 TC1，TC2 电容和电感 CXX N+ N- VALUE IC=INCOND LXX N+ N- VALUE IC=INCOND 例： C2 1 2 20P IC=1.5V 电压初始值1.5V 半导体元器件描述语句 双极型晶体管 语句格式为： QXX NC NB NE 例：Q1 7 8 9 PNPMOD 集电极接7，基极8，发射极9 电路特性分析语句 直流工作点分析 计算电路的直流工作点 格式： .OP 瞬态特性分析 计算电路的瞬态特性响应，格式： .TRAN TSTEP TSTOP 电路特性分析语句 直流或小信号交流灵敏度分析 在电路的偏置点附近将电路线性化后，计算在电感短路电容开路的情况下所观测变量OUTVAR（节点电压或电压源支路的电流）对电路中所有非零器件参数的灵敏度 交流特性分析 计算电流在给定的频率范围内的频率响应 ，格式： .AC DEC ND FSTART FSTOP .AC OCT NO FSTART