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g b 020 √ 0 √ 0 √ √ 200 √ √ 0 √ √ 0 √ 0 0 √ 0 √ 0 √ √ √ √ √ 例如 A: ,B: 面心立方全位错的全部类型及不可见判据中的操作g 图5.40 室温形变形成的位错衬度分析 (a)明场像,电子束方向 ;(b)中心暗场像,电子束方向[011]; (c) 中心暗场像,电子束方向[112] 位错伯氏矢量的测定 g A B 图5-40 1(b=1/3[211]) 2(b=1/3 ) 1(b=1/3 ) 2(b=1/3 ) 观察值 g·b 观察值 g·b 观察值 g·b 观察值 g·b 220 V. 2 V. 2 V. -2 I.V. 0 (a) I.V. 0 V. 2 V. -2 V. -2 (b) V. 2 V. 2 V. -2 I.V. 0 V. 2 I.V. 0 I.V. 0 V. 2 I.V. 0 V. -2 V. 2 V. 2 R.C. -2/3 V. -4/3 R.C. 4/3 V. 2/3 (c) 注:“V.”:可见,“I.V.”:不可见,“R.C.”:残余衬度。 表5.6 室温形变形成的位错的g?b值 位错伯氏矢量的测定 参考书:戎咏华,分析电子显微学导论,高等教育出版社,2006 晶体缺陷的测定方法 图 用柏格斯回路确定Si中扩展位错的柏氏矢量,1/2110分解扩展位错。 * 参考书:戎咏华,分析电子显微学导论,高等教育出版社,2006 晶体缺陷的测定方法 层错能的测定:TEM衍射衬度 * 图5.43 扩展位错的分解宽度(d)作为 函数的关系 晶体缺陷的测定方法 位错密度的测定:X射线线形分析(XLPA) * 晶体缺陷的测定方法 重位点阵的测定:背散射电子衍射( EBSD) * 图冷轧双相钢中的重位点阵分布 参考书:戎咏华,姜传海,材料组织结构的表征,上海交通大学出版社,2012 晶体缺陷的测定方法 小角度晶界和亚晶的观察:高分辨TEM成像 * 参考书:Yonghua Rong,Characterization of Microstructres by Analytical Electron Microscopy(AEM), Higher Education Press, Springer,2012 晶体缺陷的测定方法 小角度晶界和亚晶的观察:TEM衍射衬度成像 * 图5.43 Fe-30wt%Ni合金表面机械研磨过程中的马氏体亚晶粒 晶体缺陷的测定方法 相界的观察: * * * * * * 典型晶体结构中的单位位错的柏氏矢量 滑移面: 密排面、 b 矢量:密排方向 * 课堂习题 画出面心立方(111)面及其 方向。 画出体心立方(110)面及其 方向。 * 答案 * 实际晶体中的堆垛顺序 * 实际晶体中的堆垛顺序 不全位错:与堆垛层错有关 堆垛层错: 实际晶体中的密排面的正常堆垛顺序遭到破坏 实际晶体中的堆垛顺序:密排原子面按一定顺序堆垛而成。 面心立方:ABCABCABC…; DDDDD.... 密排六方:ABABABAB…;D▽ D▽… * 堆垛层错 堆垛层错: 实际晶体中的密排面的正常堆垛顺序遭到破坏 面心立方晶体中存在的层错 抽出型: 插入型: 特点: 一个插入型层错相当于两个抽出型层错 面心立方晶体中存在层错时相当于在其间形成了一薄层的hcp晶体结构 * 堆垛层错(二) 密排六方晶体中的层错 抽出型层错 插入型层错 * 层错能 形成层错几乎不产生点阵畸变,但会破毁晶体的正常周期完整性= 晶体能量升高 增加的能量称为“堆垛层错能”或“层错能”(J/m2) 层错能越低,层错出现的几率越大,越易观察到,例如奥氏体不锈钢中。 * 不全位错 不全位错:堆垛层错与完整晶体的分界线(b矢量不等于点阵矢量) 肖克莱(Schckley)不全位错: (a/6)*[1,-2,1] (在(111)面上) 特点:1)b矢量永远平行于层错面 2)层错为一平面=其边界在一平面内 3)可以为刃型、螺形、混和位错 4)滑移的结果是层错面的扩大或缩小。但不能攀移,因它必须和层错始终相连 Fcc晶体中两种重要的不全位错 * 弗兰克(Frank) 不全位错 弗兰克(Frank) 不全位错:插入或抽出半原子面所形成的层错与完整晶体的边界, (a/3)*111。 抽出:负弗兰克(Frank) 不全位错 插入:正弗
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