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1)电压对不同的阳极靶是不同的,它由阳极靶的原子序数z所决定。2) 阳极靶不同产生的特征x射线的波长不同。3)实验中最常用的特征x射线是kα。最常用的靶材是cu和fe。5) λkα= 2/3λkα1+1/3λkα2,有时需要注意区分kα1和kα2。 在x射线分析中,在大多数情况下都希望所使用的x射线波长单一,即“单色”x射线。但实际上,如上所述,k系特征谱线包括两条谱线。在x射线分析时,它们之间会相互干扰。我们可以应用某些材料对x射线吸收的特性,将其中的kβ线过滤掉。 除了被散射和透射一部分外,X射线能量主要将被物质吸收 这种能量转换包括光电效应(二次特征幅射) 和俄歇效应。 吸收主要由原子内部的电子跃迁(迁移)引起。 (真吸收:见P14) X射线的吸收 光电效应 (荧光辐射) (1)定义: 当一个具有足够能量的X射线光子碰撞到物质的原子时,也可以击出原子内层(如K层)的电子而产生电子空位,且高能级的电子填充该空位发生电子跃迁时,同样会产生辐射,即产生新的特征X射线。 这种以X射线光子激发物质原子所发生的激发和辐射的过程称为光电效应。被击出的电子被称为X射线光电子,所辐射的特征X射线称为次级(或二次)X射线,或称为荧光X射线。 (2)产生条件:产生光电效应,X射线光子波长必须小于吸收限λk。当X光子激发K系(电子)产生光电效应时,光子的能量必须大于击出一个K层电子所做的功(临界值): 此式把吸收限与激发电压联系起来。 从激发光电效应角度讲,称?K为激发限波长,即只有波长小于?K的X光子才能激发K系产生X光电效应而使X射线的能量被吸收。 ? 吸收限与光电效应相关联。 K系光电效应(荧光辐射) L系光电效应(荧光辐射) …… 产生光电效应,入射X射线光子波长必须小于等于吸收限λk。 即λ≤λk 光电效应 λk 从激发光电效应的角度说,称为激发限波长,意义是只有入射的x射线波长达到或小于它时,才能激发物质的二次特征x射线。 从x射线被吸收的角度看,称为吸收限波长。意义是当入射的x射线的波长达到它时,入射x射线将被该物质强烈吸收,并产生光电效应。 原子内壳层(K层)电子被电离,原子处于激发态,外壳层电子跃迁释放能量其能量不是以产生X射线光量子,而是将其它壳层(L层)电子电离,此被电离的电子具有特征能量,叫俄歇电子(Auger electrons)。 这种现象叫做俄歇效应。 俄歇电子主要用于表面(10 ?)几个原子层的成分分析。这种电子能量很低,在固体表面深处测量不到。 俄歇效应 Auger effect 入射X射线 光电子 荧光X射线 俄歇电子 N M L K X射线光电效应,俄歇效应 俄歇(Auger)效应 激发源 打出电子 较外层电子向空位跃迁的能量 不产生X射线而是打出某层电子(俄歇电子) 二次特征X射线: 激发源( X射线) 打出电子 较外层电子向空位跃迁的能量 产生X射线 两者比较 H I0 IH X射线衰减规律 x射线通过物质时,x射线强度衰减了。其中,因散射引起的衰减远远小于因吸收导致的衰减量。因此,可以近似地认为,x射线通过物质后其强度的衰减是由于物质对它的吸收所造成的。 X射线衰减规律 X射线的能量衰减符合指数规律,即 IH -----透射束的强度 I0------入射束的强度, μ-----线吸收系数,表示对X射线的吸收量, H------物质的厚度 透射系数 μ与物质的密度成正比 通常用μm表示物质的吸收 对多相混合物 W1,W2为重量百分比,ρ为物质密度 X射线衰减规律 质量吸收系数(附录2) 质量吸收系数μm与波长? 和原子序数Z存在如下关系: μm~K ? 3Z3 这表明,当吸收物质一定时,X射线的波长越长越容易被吸收; X射线的波长固定时,吸收体的原子序数越高,X射线越容易被吸收。 X射线吸收 μm~K ? 3Z3 X射线衰减规律 波长 原子序数 密度 厚度 ↓ ↓ ↓ ↓ 吸收系数随波长的增大而增大, 且在一定区间内是连续变化的。这是因为x射线的波长越长越容易被物质所吸收。 在某些波长的位置上产生跳跃式的突变。即吸收限(吸收边)或激发限的存在。 吸收限的应用 为避免Kβ谱线干扰,利用吸收限两边吸收系数相差悬殊的特点,制作滤波片,滤去Kβ谱线以获得单色Kα射线,作为衍射光源。 滤波片 选适当材料,使其K吸收限位于所用的Kα与 Kβ之间,则Kβ大部分被吸收; Kα损失较小。 滤波片的选择原则: Z靶40时 Z滤片=Z靶-1 Z靶≥40时 Z滤片=Z靶-2 x射线分析中
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