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000(ydy)-能带不连续性对a-Si c-Si(HIT)异质结构光伏特性影响.doc
本文由888ronglin贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。 竺竺!兰竺兰翌:::!t!::兰!!t!!!兰垦竺竺兰竺竺竺竺墅。!l一 能带不连续性对a—Si/c—Si(HIT)异质结构 光伏特性的影响① 胡志华1,2廖,.g-4h1 >-1宏伟。 曾湘波1 徐艳月1 孔光临 1中国科学院半导体研究所,北京,100083 2云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092 摘要:本文报道了运用AMPS模拟程序对a SI:H,/c—Sj HIT(heterojunction thin with an intrinsic layer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对 光伏性能的影响,并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。为了解a—Si/c-Si界面的能带补 偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同 Gall S等报道的试验结果也进行了比较。结果表明,只有在较小的导带补偿(~0.18 eV)和较 大的价带补偿(~0.5 eV)时,其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。 关键词:a—Si/c-Si HIT能带不连续性教值模拟 -/. Abstract:This paper reports the numerical simulation of a—Si/c Si heteru]unction solar cells at with an intrinsic a Si thin layer(HIT)by using AMPS model.developed on Penn State University.The effect of i-layer thickness and hand offset photovohaic performances were et imresligated。and compared with experimental results reported by M.Tanaka to a1.In order understand the band edge discontinu|ties at a—Si:H/c—Si interfaces。we also investigated a the voltage—and temperature—dependent spectral response(SR)of solar cells with fixed thickness(100 nm)of i-a—Si:H layer,and compared with the experimental results reported by S.Gall et a1.It a is found that only by setting a large amount of valence hand offset (~0.5 eV)and smalj amount of conduction band offset(~0.18 eV)the HIT solar ceils up could reach high conversion efficiencies to~23%and have SR consistent with the reported experimental results. Keywords:a Si/e—Si HIT bandedge discontinuities numerical simulation 性主要集中在导带;而Mimura和Hatanaka¨3报道 1前言 a 的结果却是导带不连续性很小,能带不连续性主要 集中在价带。 Si/c Si HIT异质结太阳电池同时兼有非晶 为了对这~问题有进一步的了织,我们运用 AMeSE”对不同能带构形和不同本征层厚度的HIT 太阳电池的伏安特性,以及固定本征层厚度(100nm) 下光谱响应对电压和温度的依赖关系进行了数值模 拟计算,并将计算结果同Tanaka M”1和Gall 等的试验结果进
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