半导体精简复习参考资料.docVIP

1、施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。 受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。 施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。 受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。 2、量子态密度：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度。 状态密度：单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。 有效状态密度：所有有可能被电子占据的量子态数。 3、深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。将其引入半导体中，形成一个或多个能级。该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。 浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。 4、空穴：在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。 5、有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。有效质量表达式为： 6、理想半导体：晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，纯净不含杂质的，晶格结构是完整的。 实际半导体：原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动，含有若干杂质，存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。 7、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。 8、复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。 非平衡载流子的复合率（净复合率）： 产生率：单位时间单位体积内所产生的电子-空穴对数。 非平衡载流子的产生率（净产生率）： 9、陷阱：有显著陷阱效应（积累非平衡载流子的作用）的杂质能级称为陷阱。 陷阱中心：相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 10、平衡态：指的是系统内部一定的相互作用所引起的微观过程之间的平衡。 非平衡态：对半导体施加外界作用，破坏了热平衡条件，迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态。 11、费米能级：电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。 准费米能级：导带费米能级和价带费米能级都是局部的费米能级，成为准费米能级。 12、绝缘体能带结构：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽 度较大。半导体能带结构：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。 13、扩散系数：描述非平衡载流子的扩散能力。扩散长度：非平衡载流子深入样品的平均距离。 14、散射几率:表示单位时间内一个载流子受到辐射的次数，其数值与散射机构有关。其倒数为平均自由时间。18、迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度。 15、复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。表面复合：在半导体表面发生的复合过程。 16、简并：服从费米统计律的电子系统称为简并系统。 17、非简并：服从玻耳兹曼统计律的电子系统称为非简并系统 18雪崩击穿：由于倍增效应，使势垒区单位时间内产生大量载流子，迅速增大了反向电流，从而发生pn结现象 隧道击穿（:在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从夹带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。 击穿：热不稳定性引起的击穿称为热点击穿。 ：允每一个能带称为带 禁带：能带结构中能态密度为零的能量区间。 价带：半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。 导带：导带是自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 23、本征半导体：本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体。多数载流子型半导体中的电子和p型半导体中的空穴称为多数载流子（简称多子型半导体中的和p型半导体中的称为多数载流子（简称子 迁移率：单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力。电导率：在介质中该量与电场强度之积等于传导电流密度，也可以称为导电率。 26、漂移运动：外加电压时，导体内部的自由电子受电场力的作用，沿着电场反方向作定向运动，这种电子在电场力作用下的运动。 27、欧姆接触：金属和半导体接触形成整流接触。而金属和半导体接触还可形成非整流接触：即欧姆接触。 1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。 2. 以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。 As有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个As原子取代一个Ge原子，其效果是