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UESTC 302 晶体管特性图示仪 4. N沟道耗尽型MOSFET 例3: 在图示电路中,设b =60 ; UCC=15V;RC=5KW,在给出的三组条件下,求UCE并分别说明晶体管工作在何种状态。 ①解： 此时BJT工作于饱和状态UCE＝ UCES≈0 RB UBB IB IC IE UCE UBE + + - - 15V 5KW ② 解： 此时BJT工作于放大状态 RB UBB IB IC IE UCE UBE + + - - 15V 5KW ③解： 所以此时晶体管处于截止状态。 BE结电压：反偏 CB结电压：反偏 RB UBB IB IC IE UCE UBE + + - - 15V 5KW 一.电流放大系数 同一型号的晶体管，?值也有很大差别。一般放大器采用?值为30~80的晶体管为宜。 UCE(V) IC(mA) IB5 IB4 IB3 IB2 iB = IB1 iB=0 DIB DIC UCEQ 1. 共射电流放大系数 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 ? 由于实际曲线接近于平行等距 §1.3.4 BJT的主要参数 2. 共基极电流放大系数 共基极交流电流放大系数α 共基极直流电流放大系数 一般情况下 ， 同时， 可以不加区分。 二.极间反向电流 (a) 反向饱和电流 ICBO (b) 穿透电流 ICEO ICBO是发射极开路时，集—基反向饱和电流。通常希望ICBO越小越好。在温度稳定性方面，硅管比锗管好。 ICEO是基极开路时，从集电极直接穿透三极管到达发射极的电流。 ICBO ICEO (1) 集电极最大允许电流ICM 三. 极限参数 0 UCE IC U(BR)CEO （NPN） ICM 安全工作区 UCEIC=PCM 过 损 耗 区 集电极电流 IC 超过一定值时，?值要下降，当?降到原来值的2/3时，对应的IC记为ICM 。 (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICUCE 0 b IC ICM b0 2b0/3 (3) 反向击穿电压（Breakdown——BR） ? U(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。 ? U(BR) EBO—— 集电极开路时发射结的反向击穿电压。 ? U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 U(BR)CBO＞U(BR)CEO＞U(BR) EBO 0 UCE IC U(BR)CEO （NPN） ICM 安全工作区 UCEIC=PCM 过 损 耗 区 由U(BR)CEO、PCM、ICM 共同确定三极管的安全工作区。 §1.3.5 温度对BJT特性的影响 UCE(V) IC(mA) Q 0 UBE IB §1.4 场效应管 场效应管(Field Effect Transistor --- FET)与双极型晶体管不同，导电过程中只有一种载流子参与，所以又称为单极型晶体管。 1. 结型场效应管，简称JFET (Junction type Field Effect Transister) ； 2. 绝缘栅型场效应管，简称IGFET ( Insulated Gate Field Effect ransister)， 也简称为MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)。 一. FET的分类 FET按结构分为两大类： 3DJ7 存在两种类型的JFET ，四种类型的MOSFET。 JFET MOSFET N沟道耗尽型(正极性晶体管) N沟道耗尽型、N沟道增强型 (Depletion) (Enhancement) P沟道耗尽型(负极性晶体管) P沟道耗尽型、P沟道增强型 JFET G S D MOSFET D G S 二 . FET电路符号 D(Drain) —— 漏极 G(Gate) ——栅极 S(Source)——源极 1. FET的D到S之间的电流通道称为沟道 2. 以N型材料为沟道的FET称为N沟道FET 3. 以P型材料为沟道的FET称为P沟道FET 4. UGS= 0时存在沟道的FET称为耗尽型FET 5. UGS= 0时不存在沟道的FET称为增强型FET FET名词： FET与BJT三电极对应关系 D G S C B E C B E D G S 增强型 D G S 耗尽型 UGS 三. FET主要特点： 1). FET是一种电压控制器件，其模型具有VCCS特性; 2). FET输入阻抗高,易实现直接耦合; 3).