海南大学电磁场与电磁波知识点.pdfVIP

《电磁场与电磁波》总结 一、填空（每空1 分，共20 分） 1. 亥姆霍斯定理 根据亥姆霍斯定理，矢量处由矢量的散度和旋度以及边界条件所确定。 2. 某种媒质条件下的麦氏方程组 写出均匀损耗媒质远场区的麦氏方程组     E H E   t    H E   t   H 0   E 0  电磁波在损耗媒质传播过程中，沿传播方向振幅衰减，磁场相位滞后电场相位。 各向同性线性媒质的本构关系为：D E 、B H 、J E 3. 垂直入射的基本结论 理想导体边界垂直入射的主要电磁现象：Erm Eim ,1, 0 介质侧合成场为驻波，导体表面上合成电场最小，合成磁场最大，平均坡印廷矢 量为零，导体表面有感应的交变面电流分布。 两层理想介质间垂直入射时反射系数、透射系数计算：   2  2 1 ,  2     2 1 2 1 两层理想介质间垂直入射时，什么情况下Z=0 边界上电场为最小？什么情况 下Z=0 处边界上电场最大？ （结果有待讨论）   时， 0的正实数，z 0边界上， 2 1 E Eim (1)电场最大， E H im (1)磁场最小  1   时， 0的负实数，z 0边界上， 2 1 E Eim (1)电场最小， E H im (1)磁场最大  1 4. 导体边界条件 1 / 5 《电磁场与电磁波》总结  en D S 理想导体表面上的电荷密度等于D 的法向分量   e B 0 理想导体表面上?B 的法向分量为  n  e E 0 理想导体表面上E?的切向分量为  n  e H J 理想导体表面上的电流密度等于H 的切向分量  n S  5. 波的极化判断及接受关系 电磁波的极化状态取决于Ex 和Ey 的振幅Exm 、Eym 和相位差φ ＝φx－φy 对于沿+ z 方向传播的均匀平面波： 线极化： φ = 0 、± ； φ = 0 ，在1、3 象限，φ =  ，在2 、4 象限 圆极化：φ = ± /2 ，Exm = Eym ； 取“＋”，右旋圆极化，取“－”，左旋圆极化 右旋圆极化波：若 φx－φy＝π/2 ，则电场矢端的旋转方向与电磁波传播方向 成右手螺旋关系，称为右旋圆极化波 左旋圆极化波：若φx－φy＝-π/2 ，则电场矢端的旋转方向与电磁波传播方向 成左手螺旋关系，称为左旋圆极化波 椭圆极化：其它情况；φ ＞0，右旋，φ ＜0，左旋 6. 斜入射的基本结论（给出公式，说明条件） 斜入射分析问题的关键是： *表达入射波，反射波与透射波的波场结构的同时，对场量做相应的分解。 *基于分解利用两层理想介质边界条件上场量切线分量连续来整理反射系数和透 射系数。 斜入射的电磁现象之一： 当  （光密对光疏媒质斜入射） 1 2