《《金属薄膜技术专题》》.pdf

金属薄膜技术专题,薄膜电,物薄膜,金刚石薄膜类技术资料 订购本张技术光盘，请记录此光盘编号：x23455 收费480 元 [x23455-0687-0001] 在合成树脂上形成薄膜的方法以及由此得到的层压膜 摘要] 一种在合成树脂上形成薄膜的方法，在合成树脂上形成金属保护层，并形成①半透过金属镜、②全反射金属镜或者③透明导 电膜之一的薄膜。作为金属保护层的材料，优选选自ti、zr、nb、si、in 以及sn，用于确保合成树脂与薄膜之间的密合性的金属保 护层的膜厚优选在1nm 以上。另外，如果金属保护层的膜厚太厚，则金属保护层的光吸收会导致层压膜整体的透过率的下降，因此金 属保护层的膜厚优选在5nm 以下。本发明的 的在于提供在合成树脂上形成薄膜时可以比较简单地提高该合成树脂与薄膜之间的密合 力的方法。 [x23455-0130-0002] 镀铝薄膜的常温快速阳极氧化技术 摘要] 本发明提供一种镀铝膜层的阳极氧化技术,它可为镀铝镜面提供一种有效的保护层.本技术的实质是对非金属(尤其适用于玻 璃、陶瓷)基底材料镀铝薄膜采用硫酸及na sio (水玻璃)等其它添加组分为处理溶液,在常温下通以一定电流、电压进行快速阳极氧化 2 3 然后用本发明提供的三种方法之一进行封闭处理,从而生成一种耐摩、耐蚀、耐候,表面可见光反射高(85%左右)的镜面绝缘氧化膜层 本技术工艺简单,成本低廉,生产效率高. [x23455-0483-0003] 一种在高温超导reba cu o 薄膜上非原位镀制贵金属膜的方法 2 3 7 本发明公开了一种在高温超导reba cu o 薄膜上非原位镀制贵金属膜的方法，其中re 为y、gd、nd、dy、eu 等稀土元素，包括以下 2 3 7 -5 骤： 1)在高于5×10 pa 真空度的真空室内先将高温超导reba cu o 薄膜以每分钟50℃的升温速度加热至500±50℃，保持3 分钟， 2 3 7 然后降温至室温； 2)镀制贵金属膜。该方法可以有效地改变因 大气而形成的表面层的晶体结构(从非晶结构相变为类体内的正交结 构)，获得导电性很好的表面层。最终，降低高温超导reba cu o 薄膜与贵金属膜之间的接触电阻。 2 3 7 [x23455-0030-0004] 金属箔上的锆钛酸铅介电薄膜复合材料 摘要] 在金属箔上结晶介电的锆钛酸铅薄膜复合材料显示了优异的电容器性能，包括高介电常数、低介电损耗(损耗角正切值＜5％ 及低泄漏电流。锆钛酸铅具有式pbzr ti o ，x 和y 独立地为约0.35～约0.65，z 为约2.5～约5.0。在金属基质例如黄铜、铂、钛和 x y z 不绣钢箔上采用多种方法包括溶胶—凝胶法、溅射沉积法和化学气相沉积方法制备薄箔介电复合材料。 [x23455-0227-0005] 用在杀菌薄膜中和密封剂薄膜中的密封剂树脂组合物 摘要] 用于杀菌包装薄膜的密封剂树脂组合物含有高密度聚乙烯为主要树脂组分和用茂金属催化剂聚合的线 低密度聚乙烯。由于 高的冲击强度和热合强度，由其制成的密封剂薄膜能耐发白、热熔融、蒸煮消毒处理后热变形，和在低温下防止由其制得的袋的破损 [x23455-0478-0006] 自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用 摘要] 自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用。采用镍硅混合物靶，在氩氧混合气体中溅射形成低镍含量的氧化镍 和氧化硅混合薄膜作金属诱导横向晶化诱导源。由于镍以氧化物状态存在，并以较低含量混合在氧化硅中，因此，除靠近非晶硅和金 属诱导层界面处的镍可较快地扩散到硅膜之中，后面的镍则以非常缓慢的速度释放到硅膜中。表面镍原子数量与混合物薄膜的厚度无 关，因此，即使其厚度不均匀及批次间厚度出现变化，晶核和诱导前锋的形成状态却是基本相同的。在随后的横向晶化过程中，缓释 的镍不断补充晶