《《薄膜4》》.pdfVIP

下载本文档

7
0
约6.08万字
约 73页
2015-10-15 发布于河南
举报
版权申诉

《《薄膜4》》.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

《《薄膜4》》.pdf

第四章异质外延薄膜, 第四章异质外延薄膜, 薄膜中的应力薄膜中的应力异质外延生长各种材料异质外延生长各种材料外延:有序地排列 In Ga As / InP In Ga As / InP 不同材料之间的外延生长 x 1-x x 1-x Al Ga As / GaAs Al Ga As / GaAs x 1-x x 1-x 外延生长的要求：晶格常数匹配 AlAs: 0.5661 nm 0.1%失配度 GaAs: 0.5654 nm 如果晶格常数不同—— 晶格失配如果晶格常数不同—— 晶格失配 ——失配位错（结构缺陷） ——失配位错（结构缺陷） ——应变、应力—— 晶型变化—— 能带结构变化 ——应变、应力—— 晶型变化—— 能带结构变化影响器件的性能、可靠性 2 2 主要内容主要内容 1. 异质外延和应力起源 1. 异质外延和应力起源 2. 薄膜中的应力和应变的基本关系 2. 薄膜中的应力和应变的基本关系 3. 扩散蠕变弛豫 3. 扩散蠕变弛豫 4. 异质外延中应变能及其稳定性 4. 异质外延中应变能及其稳定性 5. 失配位错的弹性能 5. 失配位错的弹性能 6. 临界厚度 6. 临界厚度 7. 应变测量 7. 应变测量 8. 应变超晶格 8. 应变超晶格 3 3 4.1 异质外延和应力起源 a a  a : 衬底晶格常数 f2% 失配度失配度 s f s 失配度 f af : 薄膜晶格常数较小 a s  Ga Al As on GaAs x 1-x ax=x aGaAs+ (1-x)aAlAs ，可以获得非常小的失配度  Ga In As on InP x 1-x 异质外延制备选择依据：三元化合物晶格常数相同：应力和缺陷角度四元化合物 4 4 •常见的III=V 族， II-VI族，IV族半导体材料的能隙和晶格常数关系。 •空心符号代表间接